雙逃逸峰(double-escape peak)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。
基本介紹
- 中文名:雙逃逸峰
- 外文名:double-escape peak
- 所屬學科:物理學
- 公布時間:2019年

雙逃逸峰(double-escape peak)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。
雙逃逸峰是物理學中的一個術語,指的是在光子進入晶體發生電子對效應時,正電子與晶體內的自由電子結合發生湮沒輻射,轉化為兩個能量為0.51Mev的湮沒光子。當這兩個湮滅光子都逃逸出閃爍晶體,只有正、負電子對被記錄時,形成的脈...
逃逸峰是X射線或γ射線與探測器靈敏物質相互作用時,因探測器材料對自身產生的特徵X射線透明而產生的次級譜峰。其能量值為入射光子能量與探測器材料特徵X射線能量的差值,典型如矽探測器形成E-1.74 keV的逃逸峰。該現象在半導體探測器(如CdTe)中表現尤為明顯,但在低吸收限材料(如SiPIN)中難以形成。逃逸峰作為能...
單逃逸峰是高能γ射線與探測器物質發生電子對效應時,由湮滅光子部分逃逸形成的特徵能譜峰。當高能光子產生正負電子對後,若其中一個0.511MeV湮滅光子未被記錄,則在能譜中形成比原始能量低0.511MeV的譜峰。該術語作為伽馬能譜分析的核心概念,與雙逃逸峰共同構成電子對效應產生的特徵峰系。定義與物理機制 當能量...
雙逃逸峰是物理學中的一個術語,指的是在光子進入晶體發生電子對效應時,正電子與晶體內的自由電子結合發生湮沒輻射,轉化為兩個能量為0.51Mev的湮沒光子。當這兩個湮滅光子都逃逸出閃爍晶體,只有正、負電子對被記錄時,形成的脈衝幅度較小,對應能量處形成的峰稱為雙逃逸峰。物理過程 當光子進入閃爍晶體並發生電子對效應時,會產生一個正
γ射線與物質相互作用產生三種特徵效應:光電效應形成全能峰,康普頓效應產生連續平台區,電子對效應在能量高於1.02MeV時出現雙逃逸峰。NaI(Tl)閃爍譜儀通過無機晶體將γ光子轉換為可見光,經光電倍增管轉換為電脈衝,其幅度與γ能量成正比。高純鍺探測器則利用半導體特性實現更高能量解析度。分析方法 定性分析 全能峰...
在理論分析和模型實驗的基礎上,法技術中的井液校正、不平度效應校正、基體效應校正等理論、方法、自行設計研製並提出了雙散射峰法、散射峰一逃逸峰法、單散射峰法;凸不平“等效”成光滑井壁吸收層(井液、空氣)厚度變化的校正方法元統計理論為基礎並適用於多元素(如含有鐵、銅、鎳、鋅、鉛)等元素效應校正方法...
《常用放射性核素衰變綱圖》是由核物理學家劉運祚編著的專業工具書,1982年由原子能出版社出版。該書系統收錄了放射性核素的衰變參數數據,包含半衰期、衰變模式、γ射線能量強度等信息。作為核科學技術領域的基礎參考書,其數據被廣泛套用於X射線螢光光譜分析中的逃逸峰校正、核反應截面測量中的活化公式推導、環境放射性...
