研究簡史
2026年1月,中國科學院物理研究所/
北京凝聚態物理國家研究中心楊國楨、
金奎娟、葛琛、
張慶華等合作團隊在《Science》上發表了題為“Observation of one-dimensional charged domain walls in ferroelectric ZrO
2”的論文,首次在
螢石結構鐵電材料鐵電ZrO
2中實驗觀測到一維帶電疇壁新物態。這一發現顛覆了“三維晶體中的疇壁必然是二維的面”的傳統認知。
研究揭示了這些疇壁具有亞單胞級的極限尺寸(~ 2.55 Å × 2.71 Å)以及獨特的自平衡氧占據的電荷禁止機制,並實現了局部電場對一維帶電疇壁的人工操控。該突破為開發具有極限密度的信息存儲、人工智慧納電子器件提供了新的科學基礎。
理化性質
鐵電ZrO
2是一種
螢石結構鐵電材料,其內部正負電荷可自發分離並規則排列,形成
鐵電疇,疇壁是不同鐵電疇間的界面。
2026年,
中國科學院物理研究所等團隊在該材料中發現了一種新物態——一維帶電疇壁,打破了三維晶體中疇壁必為二維面的傳統認知。
這些一維帶電疇壁被限制在二維極性層內,存在“頭對頭”和“尾對尾”兩種類型;其尺寸達到亞單胞級極限,約為2.55 Å × 2.71 Å;具有獨特的自平衡氧占據的電荷禁止機制;可通過局部電場進行人工操控。
製備方法
在鐵電ZrO2材料研究中,近期研究通過雷射法創製了自支撐螢石結構鐵電薄膜。
套用領域
鐵電材料在
信息存儲、感測、人工智慧等領域套用潛力巨大。利用一維
帶電疇壁進行信息存儲,有望使
存儲密度提高約幾百倍,理論預計達每平方厘米約20TB,相當於將1萬部高清電影或20萬段高清短視頻存儲在一張郵票大小的設備中。該發現為開發具有極限密度的人工智慧納電子器件提供了科學基礎。
重大事件
2026年01月,
中國科學院物理研究所師生團隊與合作者在
螢石結構鐵電材料中發現了一維帶電疇壁。相關研究成果以“Observation of one-dimensional charged domain walls in ferroelectric ZrO
2”為題發表於《Science》。中國科學院物理研究所博士後鐘海與博士生王詩雨為共同第一作者,
張慶華副研究員、
金奎娟院士和葛琛研究員為共同通訊作者,合作者還包括
清華大學谷林教授、中國科學院物理研究所
金士鋒研究員等。該工作得到了
國家重點研發計畫、
國家自然科學基金等項目的資助。該發現顛覆了三維晶體中疇壁必然為二維面的傳統認知,利用一維帶電疇壁進行信息存儲有望大幅提升存儲密度。