錢凌軒

錢凌軒：男，電子科技大學副教授。2014年畢業於香港大學電機電子工程系，獲博士學位，同年加入電子科技大學微電子與固體電子學院。目前的研究領域為新型半導體材料與器件，主要研究興趣包括：1）寬禁帶半導體Ga2O3的異質外延生長及其日盲紫外探測器的製備；2）非晶氧化物薄膜電晶體；3）高k柵介質在MOS器件中的套用。2006至2009年，曾就職於中芯國際(北京)，任部門副經理（Deputy Manager）、副高級工程師，全程參與中國第一條65 nm積體電路製程的研發。迄今為止，在IEEE Electron Dev. Lett.、Appl. Phys. Lett.、IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab.等本領域權威期刊上發表SCI論文15篇，其中第一作者8篇。現作為第一負責人主持國家自然科學基金、中央高校基本科研業務費等科研項目4項。

基本介紹

• 中文名：錢凌軒
• 國籍：中國
• 職業：副教授
• 畢業院校：香港大學

教育背景

2010.09－2014.08 香港大學，電機電子工程系，博士學位

2003.09－2006.06 四川大學，電子信息學院，碩士學位

1999.09－2003.07 四川大學，化學工程學院，學士學位

工作履歷

2016.07－至今 電子科技大學，微電子與固體電子學院，副教授（破格晉升）

2014.09－2016.07 電子科技大學，微電子與固體電子學院，講師

2009.07－2010.06 中國專利技術開發公司（隸屬國家知識產權局），工程師

2006.07－2009.05 中芯國際（北京），部門副經理

學術兼職

IEEE Member；

ACS Appl. Mater. Inter.、Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、IEEE Electron Dev. Lett.、IEEE Trans. Electron Dev.等本領域權威期刊（SCI）特邀評審；

IEEE EDSSC'16 Technical Program Committee委員。

研究方向

1）寬禁帶半導體氧化鎵外延生長及其日盲紫外探測器的製備

利用先進的分子束外延（MBE）設備生長寬禁帶半導體氧化鎵，在此基礎上製備高性能日盲紫外探測器，並進行器件最佳化、機理探究等。

2）非晶InGaZnO薄膜電晶體

研製高性能非晶InGaZnO薄膜場效應電晶體（TFTs），以應對下一代平板顯示技術的發展，並拓展InGaZnO TFTs在感測器、可穿戴設備以及積體電路等領域的套用。

3）High-k柵介質材料

探索新型High-k材料在MOSFET器件中的套用，以減小器件漏電流，降低操作電壓和能耗，應對未來高性能積體電路及其他電子器件的要求。

研究條件

依託電子薄膜與集成器件國家重點實驗室，擁有過硬的薄膜生長、器件加工、性能測試以及電路設計的軟、硬體條件，有利於基礎研究的開展和成果的及時轉化。其中，主要涉及的微細加工設備包括分子束外延、原子層沉積、磁控濺射、電子束蒸發等。設備先進，項目經費充裕。

主持項目

1 非晶InGaZnO基異質結及調製摻雜薄膜電晶體的製備與研究，國家自然科學基金（青年），2016.01-2018.12，24萬

2 XXXXXXXX與微觀結構的關係研究，XXXX基金，2015.10-2017.09，30萬

3 基於高k柵介質的非晶InGaZnO薄膜電晶體研究，中央高校基本科研業務費，2015.01-2016.12，14萬

代表性SCI期刊論文

【1】Y.Y. Zhang,L.X. Qian*, Z.H. Wu, P.T. Lai, and X.Z. Liu,Improved Performance of Amorphous InGaMgO Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodetector by Post Deposition Annealing in Oxygen,IEEE Trans. Nanotechnol., 2016.

【2】J. Q. Song,L.X. Qian, and P. T. Lai,Effects of Ta incorporation in Y2O3 gate dielectric of InGaZnO thin-film transistor,Appl. Phys. Lett.,109, 163504, 2016.

【3】L.X. Qian*, Y. Wang, Z.H. Wu, T. Sheng, and X.Z. Liu,β-Ga2O3 solar-blind Deep-Ultraviolet photodetector
based on annealed sapphire substrate,Vacuum, accepted.

【4】L.X. Qian*, X. Z. Liu, T. Sheng, W. L. Zhang, Y. R. Li, and P. T. Lai,β-Ga2O3 solar-blind deep-ultraviolet photodetector basedon a four-terminal structure with or without Zener diodes,AIP Advances,6, 045009, 2016.

【5】Jiaqi Song,Lingxuan Qian, Cheunghoi Leung, and Puito Lai*, Improved electrical characteristics of amorphous InGaZnO thin-film transistor with HfLaO gate dielectric by nitrogen incorporation,Appl. Phys. Express,8, 066503, 2015.

【6】Ling Xuan Qianand Peter T. Lai *, Fluorinated InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric,IEEE Electron Dev. Lett., 35(3), 363-365, 2014.

【7】L.X. Qian, P.T. Lai *, and W.M. Tang, Effects of Ta Incorporation in La2O3 Gate Dielectric of InGaZnO Thin-Film Transistor,Appl. Phys. Lett., 104, 123505, 2014.

【8】L.X. Qianand P.T. Lai *, Improved Performance of InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric Annealed in Oxygen,IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 14(1), 177-181, 2014.

【9】L.X. Qian, X.Z. Liu, C.Y. Han, and P.T. Lai *, Improved Performance of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor with Ta2O5 Gate Dielectric by Using La Incorporation,IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 14(4), 1056-60,2014.

【10】L.X. Qian* and P.T. Lai, A Study on the Electrical Characteristics of InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric Annealed in Different Gases,Microelectron. Reliab., 54, 2396-2400, 2014.

【11】L.X. Qian, W.M. Tang, and P.T. Lai *, Improved Characteristics of InGaZnO Thin-Film Transistor by Using Fluorine Implant,ECS Solid State Lett.; 3(8), P87-P90, 2014.

【12】C.Y. Han,L.X. Qian, C.H. Leung, C.M. Che, and P.T. Lai *, A Low-Frequency Noise Model with Carrier Generation-Recombination Process for Pentacene Organic Thin-Film Transistor,J. Appl. Phys., 114, 044503, 2013.

【13】Chuan Yu Han,Ling Xuan Qian, Cheung Hoi Leung, Chi Ming Che, and P. T. Lai *, High-Performance Pentacene Thin-Film Transistor with ZrLaO Gate Dielectric Passivated by Fluorine Incorporation,Org. Electron., 14, 2973–2979, 2013.

國際會議論文

【1】L. X. Qian, X. D. Huang, and P. T. Lai, “Effects of fluorine incorporation on the electrical properties of silicon MOS capacitor with La2O3 gate dielectric,”IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2011;

【2】L. X. Qianand P. T. Lai, “Influence of Ar/O2 ratio during IGZO deposition on the electrical characteristics of a-IGZO TFT with HfLaO gate dielectric,”IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2013.