一種材料, 化學符號為InGaAs，主要套用於電子半導體領域，電子在InGaAs中的傳輸速度是矽的數倍。MIT的MTL（微系統實驗室）最近演示了用InGaAs製作的電晶體，傳輸電流是最先進的矽電晶體的2.5倍。而InGaAs電晶體的尺寸僅僅為60納米。InGaAs電晶體的優點是能夠減少晶片尺寸，提高信息處理的速度.廣泛用於探測器!
銦砷化鎵編輯 鎖定 討論 本詞條缺少信息欄、概述圖,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯吧!一種材料, 化學符號為InGaAs,主要套用於電子半導體領域,...
稀散金屬通常是指由鎵(Ga)、銦(In)、鉈(Tl)、鍺(Ge)、硒(Se)、碲(Te)...砷和鎵的化合物——砷化鎵,是近年來新發展起來的一種性能優良的半導體材料。用...
通常,高亮度單色發光二極體使用砷鋁化鎵(GaAlAs)等材料,超高亮度單色發光二極體使用磷銦砷化鎵(GaAsInP)等材料,而普通單色發光二極體使用磷化鎵(GaP)或磷砷化鎵(GaAsP...
惠峰,男,1984年8月畢業於電子工程系,自大學畢業一直從事研製國防軍工器件和電路需要的高質量砷化鎵、磷化銦及鍺單晶工作。...
《半導體材料技術》較為詳細地介紹了以矽、鍺為代表的第一代半導體材料,以砷化鎵和磷化銦為代表的第二代半導體材料,以耐高溫化合物為代表的寬禁帶第三代半導體材料...