金屬鍵合

金屬鍵合指通過金屬原子間相互作用實現晶片與部件連線的技術,主要方法包括熱壓鍵合和超聲鍵合。熱壓鍵合通過溫度壓力促進金屬原子擴散形成合金層,超聲鍵合利用振動破碎氧化膜實現原子結合。相較於聚合物鍵合,該技術具有導電性更優的特點,套用於半導體封裝(DIP/SOP/SiP/3D封裝)、光電器件(LED散熱/VCSEL結構)及MEMS器件(感測器/微流體晶片)領域。

該技術源於IBM開發的C4凸點鍵合技術,隨著微電子封裝需求發展出銅柱鍵合等工藝。銅-銅鍵合因電阻小、抗電遷移特性突出成為高密度3D晶片主流互連方案,採用熱壓鍵合(TCB)和表面活化鍵合(SAB)方法實現。技術演進涵蓋從早期焊接工藝到納米級精度混合鍵合的發展階段,面臨金屬間化合物穩定性、金材料成本高及工藝參數控制複雜等挑戰。未來發展方向包括納米級對準精度、低溫鍵合技術

基本介紹

  • 中文名:金屬鍵合
  • 外文名: metallic bonding
  • 所屬學科:物理學_凝聚態物理學_結構  
  • 公布年度: 2019年
公布時間,出處,

公布時間

2019年全國科學技術名詞審定委員會審定公布的物理學名詞。

出處

《物理學名詞》。

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