| 中文名稱 | 選擇性外延生長 |
| 英文名稱 | selective epitaxy growth |
| 定 義 | 在襯底上限定的區域內進行的外延生長。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
| 中文名稱 | 選擇性外延生長 |
| 英文名稱 | selective epitaxy growth |
| 定 義 | 在襯底上限定的區域內進行的外延生長。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
中文名稱 選擇性外延生長 英文名稱 selective epitaxy growth 定義 在襯底上限定的區域內進行的外延生長。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科...
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研究領域:III族氮化物半導體薄膜與低維結構的原子層外延生長,新型氮化鎵/二維體系...另外,在圖形矽襯底上進行過碳納米管的定向和選擇性化學氣相沉積生長以及非占據...
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《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》內容包括:氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理,HEMT材料的電學性質,AlCaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和最佳化、材料缺陷...