許望穎，博士，深圳大學材料學院助理教授、碩士生導師，入選廣東省“珠江人才計畫”青年拔尖人才及深圳市“孔雀計畫”海外高層次人才，主要研究方向為新型氧化物半導體薄膜與溶液法工藝在光電器件中的套用。
2005年進入浙江大學材料科學與工程專業學習，2009年獲學士學位；2009年起於中國科學院寧波材料技術與工程研究所攻讀碩士，2012年獲材料物理與化學碩士學位；2012年至2015年於香港中文大學獲電子工程博士學位。2015年任職於香港納米及先進材料研發院，2016年加入深圳大學材料學院任教。主持國家自然科學基金青年項目、廣東省自然科學基金等科研課題，在《ACS Applied Materials & Interfaces》等期刊發表溶液法製備氧化物薄膜電晶體相關論文40餘篇，並擔任國際期刊審稿人。
基本介紹
- 中文名：許望穎
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：新型氧化物半導體薄膜 (IGZO, CuOx, NiOx, SnOx等)
- 任職院校：深圳大學
個人經歷,研究方向,學術成果,榮譽獎項,
個人經歷
2016.5–至今 深圳大學，材料學院，助理教授，碩士生導師
2015.8–2016.5 （香港政府成立之套用研發中心）納米及先進材料研發院，工程師
2012.8–2015.7 香港中文大學，電子工程，博士
2009.9–2012.7 中國科學院 寧波材料技術與工程研究所，材料物理與化學，碩士
2005.9–2009.7 浙江大學，材料科學與工程，學士
研究方向
1. 新型氧化物半導體薄膜 (IGZO, CuOx, NiOx, SnOx等)
2. 高K氧化物介電薄膜(Al2O3, Ga2O3, ZrO2, La2O3等)
3. 基於溶液法工藝的氧化物薄膜電晶體
4. 溶液法製備氧化物薄膜及其在光電器件的套用
學術成果
主持項目
1. 2018-2020 國家自然科學基金青年項目 （26萬）
2. 2017-2019 廣東省自然科學基金 （10萬）
3. 2018-2020 深圳市高端人才科研啟動經費（270萬）
4. 2018-2020 深圳市基礎研究項目 （30萬）
5. 2017-2019 深圳大學青年教師科研啟動（6萬）
代表性論文
1. Li, Y.; Zhu, D.; Xu, W.*; Han, S.; Fang, M.; Liu, W.; Cao, P.; Lu, Y., High-mobility nanometer-thick crystalline In–Sm–O thin-film transistors via aqueous solution processing. Journal of Materials Chemistry C 2020, 8, 310-318.
2. Zhang, L.; Xu, W.*; Liu, W.; Cao, P.; Han, S.; Zhu, D.; Lu, Y., Structural, chemical, optical, and electrical evolution of solution-processed SnO2 films and their applications in thin-film transistors. Journal of Physics D: Applied Physics 2020, 53, 175106.
3. Hong, L.; Xu, W.*; Liu, W.; Han, S.; Cao, P.; Fang, M.; Zhu, D.; Lu, Y., High performance indium dysprosium oxide thin-film transistors grown from aqueous solution. Applied Surface Science 2020, 504, 144499.
4. Li, Y.; Xu, W.*; Liu, W.; Han, S.; Cao, P.; Fang, M.; Zhu, D.; Lu, Y., High-Performance Thin-Film Transistors with Aqueous Solution-Processed NiInO Channel Layer. ACS Applied Electronic Materials 2019, 1, 1842-1851.
5. Chen, L.; Xu, W.*; Liu, W.; Han, S.; Cao, P.; Fang, M.; Zhu, D.; Lu, Y., Polymer-Assisted Deposition of Gallium Oxide for Thin-Film Transistor Applications. ACS Applied Materials & Interfaces 2019, 11, 29078-29085.
6. Xu, W.; Zhang, J.; Li, Y.; Zhang, L.; Chen, L.; Zhu, D.; Cao, P.; Liu, W.; Han, S.; Liu, X.; Lu, Y., p-Type transparent amorphous oxide thin-film transistors using low-temperature solution-processed nickel oxide. Journal of Alloys and Compounds 2019, 806, 40-51.
7. Xu, W.*; Li, H.; Xu, J.-B.; Wang, L., Recent Advances of Solution-Processed Metal Oxide Thin-Film Transistors. ACS Applied Materials & Interfaces 2018, 10, 25878-2590
8. Xu, W.; Hu, L.; Zhao, C.; Zhang, L.; Zhu, D.; Cao, P.; Liu, W.; Han, S.; Liu, X.; Jia, F.; Zeng, Y.; Lu, Y., Low temperature solution-processed IGZO thin-film transistors. Applied Surface Science 2018, 455, 554-560.
9. Zhang, J.; Wen, X.; Hu, L.; Xu, W.*; Zhu, D.; Cao, P.; Liu, W.; Han, S.; Liu, X.; Jia, F.; Zeng, Y.; Lu, Y., C-Axis oriented crystalline IGZO thin-film transistors by magnetron sputtering. Journal of Materials Chemistry C 2017, 5, 2388-2396.
10. Xu, W.*; Long, M.; Zhang, T.; Liang, L.; Cao, H.; Zhu, D.; Xu, J.-B., Fully solution-processed metal oxide thin-film transistors via a low-temperature aqueous route. Ceramics International 2017, 43, 6130-6137.
Before SZU:
11.Xu, W.; Wang, H.; Xie, F.; Chen, J.; Cao, H.; Xu, J. B., Facile and environmentally friendly solution-processed aluminum oxide dielectric for low-temperature, high-performance oxide thin-film transistors. ACS Appl Mater Interfaces 2015, 7, 5803-10.
12.Xu, W.; Cao, H.; Liang, L.; Xu, J. B., Aqueous Solution-Deposited Gallium Oxide Dielectric for Low-Temperature, Low-Operating-Voltage Indium Oxide Thin-Film Transistors: A Facile Route to Green Oxide Electronics. ACS Appl Mater Interfaces 2015, 7, 14720-5.
13.Xu, W.; Wang, H.; Ye, L.; Xu, J., The role of solution-processed high-κ gate dielectrics in electrical performance of oxide thin-film transistors. Journal of Materials Chemistry C 2014, 2, 5389.
14.Xu, W.; Liu, D.; Wang, H.; Ye, L.; Miao, Q.; Xu, J.-B., Facile passivation of solution-processed InZnO thin-film transistors by octadecylphosphonic acid self-assembled monolayers at room temperature. Applied Physics Letters 2014, 104, 173504.
15.Xu, W.; Dai, M.; Liang, L.; Liu, Z.; Sun, X.; Wan, Q.; Cao, H., Anomalous bias-stress-induced unstable phenomena of InZnO thin-film transistors using Ta2O5gate dielectric. Journal of Physics D: Applied Physics 2012, 45, 205103.
榮譽獎項
1. 廣東省“珠江人才計畫”青年拔尖人才
2. 深圳市“孔雀計畫”海外高層次人才
3. 深圳市南山區“領航人才”
