記憶體編碼含義

記憶體編碼含義，需要我們知道記憶體顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個記憶體條後就非常容易計算出它的容量。

基本介紹

• 中文名：記憶體編碼含義
• 外文名：Samsung
• 電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
• I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

Samsung

具體含義解釋

主要含義：

第1位——晶片功能K，代表是記憶體晶片。

第2位——晶片類型4，代表DRAM。

第3位——晶片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（顯存顆粒）。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的記憶體採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。

第8位——為一個數字，表示記憶體的物理Bank，即顆粒的數據位寬，有3和4兩個數字，分別表示4Banks和8Banks。對於記憶體而言，數據寬度×晶片數量=數據位寬。這個值可以是64或128，對應著這條記憶體就是1個或2個bank。例如256M記憶體32×4格式16顆晶片：4×16=64，雙面記憶體單bank；256M記憶體16M×16格式 8顆晶片：16×8=128，單面記憶體雙bank。所以說單或雙bank和記憶體條的單雙面沒有關係。另外，要強調的是主機板所能支持的記憶體僅由主機板晶片組決定。記憶體晶片常見的數據寬度有4、8、16這三種，晶片組對於不同的數據寬度支持的最大數據深度不同。所以當數據深度超過以上最大值時，多出的部分主機板就會認不出了，比如把256M認成128M就是這個原因，但是一般還是可以正常使用。

第9位——由一個字元表示採用的電壓標準，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。與DDR的2.5V電壓相比，DDR2的1.8V是記憶體功耗更低，同時為超頻留下更大的空間。

第10位——由一個字元代表校訂版本，表示所採用的顆粒所屬第幾代產品，M表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，長方形的記憶體顆粒多為A、B、C三代顆粒，而現在主流的FBGA顆粒就採用E、F居多。靠前的編號並不完全代表採用的顆粒比較老，有些是由於容量、封裝技術要求而不得不這樣做的。

第11位——連線“-”。

第12位——由一個字元表示顆粒的封裝類型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA兩種封裝，而FBGA是主流（之前稱為mBGA）。其實進入DDR2時代，顆粒的封裝基本採用FBGA了，因為TSOP封裝的顆粒最高頻率只支持到550MHz，DDR最高頻率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就無法實現了。

第13位——由一個字元表示溫控和電壓標準，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常規的1.8V電壓標準；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低電壓版，適合超頻，一般很少在普及型記憶體上使用，因為三星比較注重穩定性和兼容性，並不想更多的發燒友超頻帶來危險。

第14、15位——晶片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。DDR2起步頻率是400MHz，主流最高頻率是800MHz，也有品牌出過1066MHz，其實在DDR2的套用層面上已經沒有多大的用處了，因此這段的兩個字元“CC”表示DDR2-400（200MHz@ CL=3、tRCD=3、tRP=3）、“D5”表示DDR2-533（266MHz@ CL=4、tRCD=4、tRP=4）、“E6”表示DDR2-667（333MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5）、“E7”表示DDR2-800（400MHz@ CL=5、tRCD=5、tRP=5）

三星的編號還有第16、17、18三位，這三位編號並不常見，一般用於OEM與特殊的領域，因而在此就不介紹了。

容量計算

知道了記憶體顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個記憶體條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR記憶體，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數據頻寬，這樣我們可以計算出該記憶體條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。

註：“bit”為“數位”，“B”即位元組“byte”，一個位元組為8位則計算時除以8。關於記憶體容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC記憶體，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條記憶體；另一種ECC記憶體，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出記憶體數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的記憶體條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片記憶體顆粒貼片的記憶體條是ECC記憶體。

Hynix(Hyundai)現代

現代記憶體的含義：

HY5DV641622AT-36

HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是現代的產品

2、記憶體晶片類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、晶片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表晶片輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關係

7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

8、晶片核心版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表核心越新

9、代表功耗：L=低功耗晶片，空白=普通晶片

10、記憶體晶片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A

Infineon（億恆）

億恆簡介

Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的記憶體顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其記憶體的容量、數據寬度。Infineon的記憶體佇列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其記憶體顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

容量標示

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該記憶體數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon記憶體顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。

-7.5——表示該記憶體的工作頻率是133MHz；

-8——表示該記憶體的工作頻率是100MHz。

例如：

1條Kingston的記憶體條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的記憶體顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。

1條Ramaxel的記憶體條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的記憶體顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。

KINGMAX記憶體的說明

簡介

Kingmax記憶體都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的記憶體條全是該廠自己生產。Kingmax記憶體顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的記憶體顆粒型號列表出來。

容量備註

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。

Kingmax記憶體的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識記憶體的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax記憶體條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的記憶體顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光記憶體的編碼規則。

含義：

MT——Micron的廠商名稱。

48——記憶體的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——記憶體顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。

A2——記憶體核心版本號。

TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。

-75——記憶體工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實例：一條Micron DDR記憶體條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該記憶體支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片記憶體顆粒。

其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。

Winbond（華邦）

含義說明：

A欄位由W組成，代表華邦（Winbond）記憶體晶片的前綴。

B欄位表示產品類型。98代表SDRAM記憶體94代表DDR SDRAM記憶體。

C欄位表示記憶體晶片的容量。16代表16Mbit（2MB）32代表32Mbit（4MB）64代表64Mbit（8MB）12代表128Mbit（16MB）25代表256Mbit（32MB）。要計算記憶體條的總容量，只需將記憶體晶片的容量乘上記憶體晶片的數量即可。 D欄位表示記憶體結構。08代表*816或G6代表*1632或G2代表*32。

E欄位表示記憶體晶片的修正版本。A代表第1版B代表第2版C代表第3版D代表第4版。

F欄位表示記憶體晶片的封裝方式。B代表60balls BGA、90balls BGA或144-Ball LF BGA封裝D代表100-Pin LQFP封裝H代表50-Pin 400mil TSOP、66-Pin 400mil TSOP或86-Pin 400mil TSOP封裝。

G欄位表示記憶體晶片的速度標識。對於SDRAM而言：-5代表200MHz（CL=3）-6代表166MHz（CL=3）-7代表143MHz（CL=3）或PC133（CL=2）-75代表PC133（CL=3）-8H代表PC100（CL=2）。對於DDR SDRAM而言：-4代表250MHz（CL=3/4）-5代表DDR400（CL=2.5）-5H代表200MHz（CL=3）-55代表183MHz（CL=3）-6代表DDR333（CL=2.5）-7代表143MHz（CL=2.5）或DDR266（CL=2）-75代表DDR266（CL=2.5）。

H欄位表示工作溫度類型（此欄位也可空白）。空白或L代表正常溫度（0℃～70℃），I代表工業溫度（-40℃～85℃）或擴大溫度（-25℃～85℃）。