自電光效應材料是指具有自電光效應的多量子阱(MQW)材料。
基本介紹
- 中文名：自電光效應材料
- 外文名：self-electro-optic effect materials
- 學科：材料技術
- 領域：工程技術
定義,簡介,現狀及重要性,套用,
定義
自電光效應材料是指具有自電光效應的多量子阱(MQW)材料。
簡介
MQW材料，阱寬小(10nm)，從而使阱中的激子結合能大大增加。結果在室溫也能觀察到輕、重兩個激子吸收峰。體材料中的激子較大(約30nm) ,結合能較小，通常只能在低溫才能觀察到激子峰由於激子效應，MQW材料在垂直於量子阱方句上加電場時，激子峰會向長波移動，這就是所謂的量子限制Stark效應（QCSE) 。激子峰的變化，導致對光的吸收變化，可構成光調製器。另外，MQW材料也是一種很好的光探測材料。由超晶格-多量子阱-超晶格結構所構成的p-i-n光探測器，內部量子效率可達100%。這種同時具有調製和探測功能的器件，稱自電光效應器件(SEED)。由光所引起的流過SEED的電流，將影響器件二端的電壓，該電壓又反過來影響對光的吸收。器件內部存在著光電反饋現象。SEED的特性將由外部電子線路和光電反饋方式所決定。
現狀及重要性
根據這些特性，可構成光學雙穩器件，電學雙穩器件，光學、電學振盪器，自線性調製器等。已實現的自電光效應材料有，GaAs /AIGaAsMQW、InGaAs/InAIAsMQW、GaInAsP/InPMQW等。
套用
由自電光效應材料所構成的SEED，可在室溫工作，可高速運轉，可與其它光電器件，如二極體雷射器、光探測器等兼容，在光通信、光計算、光信息處理等領域有廣泛用途。
