胡曉寧，女，1968年5月出生，1990年畢業於浙江大學信息與電子工程學系，1993年和2000年分別在中科院上海技術物理研究所獲得碩士學位和博士學位。現任中科院上海技術物理研究所研究員。1993年半導體物理與半導體器件物理專業畢業後，一直留所工作至今，從事碲鎘汞紅外探測器及其焦平面器件的研製工作。
基本介紹
- 中文名：胡曉寧
- 國籍：中國
- 出生日期：1968年5月
- 性別：女
主要從事總裝備部光電子預研、國家973、載人航天等重大項目的焦平面器件研製，涉及長線列及大面陣碲鎘汞焦平面探測器的製備技術以及性能研究。研究方向為紅外器件物理以及器件工藝技術。
曾在碲鎘汞材料的組分均勻性全自動測試方法、碲鎘汞微區低溫光電回響光譜測量、金屬－碲鎘汞界面的系統研究、Si基焦平面器件晶片技術研究、、大面陣小銦柱技術以及低能電漿乾法刻蝕碲鎘汞技術等方面進行了研究工作，獲專利4項，部級科技進步獎二等獎1項。近幾年發表論文20多篇。培養及合作培養碩士、博士研究生6名。
