肖特基勢壘源和漏的MOSFET（Schottky barrier source and drain MOSFET），簡稱為肖特基勢壘MOSFET或者SB-SDMOSFET或者SB-MOSFET 。這種結構MOSFET的源極和漏極都採用肖特基勢壘，即採用肖特基金屬代替了傳統MOSFET中源極、漏極的摻雜區的p-n結勢壘。
基本介紹
- 中文名：肖特基勢壘源和漏的MOSFET
- 外文名：Schottky barrier source and drain MOSFET
- 簡稱：肖特基勢壘MOSFET
- 優點：等效於使源和漏的結深減小
肖特基勢壘MOSFET 的優點：等效於使源和漏的結深減小（幾乎為0），短溝道效應大大減弱；源和漏接觸的高導電性，使得源、漏的串聯電阻降低；源和漏接觸的製作不需要高溫退火, 這可保證SiO2層的質量和幾何圖形在加工過程中不發生變化；對寬禁帶半導體硫化鎘（CdS）等之類的單極性半導體, 可用此接觸來避免製作p-n結上的困難。
肖特基勢壘MOSFET 的缺點：為了提高源-漏電壓, 對半導體表面處理的工藝要求較高；對Si-MOSFET而言, 一般只能作成p-溝MOSFET，因為電極材料常用的是PtSi, 它與p-型Si的Schottky勢壘高度只有0.25eV, 與n-型Si的Schottky勢壘高度有0.85eV。
去掉了源和漏的pn結
去掉了源和漏的pn結