《納米電子材料與器件》是2006年國防工業出版社出版的圖書，作者是朱長純賀永寧。
基本介紹
- 書名：納米電子材料與器件
- 作者：朱長純 賀永寧
- ISBN：7118044547
- 出版社：國防工業出版社
- 出版時間：2006-05-01
- 裝幀：平裝
- 開本：16開
內容簡介,目錄,
內容簡介
本書較為系統地闡述了納米尺度的電子學的理論基礎和實驗研究現狀，全書共分八章，內容包括：納米電子學的誕生和發展綜述；納米材料及其電子學性質；納米矽基CMOS器件；納米電子學基礎；固態納米電子器件；納米光電子材料和器件；納米表征和納米製造技術；碳納米管場致發射顯示器。
納米電子學誕生是微電子學發展到今天的必然，納米電子器件是繼微電子器件之後的下一代固體電子器件，納米電子材料與器件是納米電子學的基礎和關鍵。本書較為系統地闡述了納米尺度的電子學的理論基礎和實驗研究現狀，全書共分八章，內容包括：納米電子學的誕生和發展綜述；納米材料及其電子學性質；納米矽基CMOS器件；納米電子學基礎；固態納米電子器件；納米光電子材料和器件；納米表征和納米製造技術；碳納米管場致發射顯示器。
目錄
第一章緒論
1.1納米科學技術的誕生及其潛在影響
1.1.1納米科學技術的起源和發展
1.1.2納米科學技術對人類的潛在影響
1.2從微電子學到納米電子學
1.2.1微電子器件發展的摩爾定律
1.2.2納米電子學的誕生
1.2.3納米電子學的研究基礎
1.3納米電子材料和器件
1.3.1納米電子材料及其套用
1.3.2電子器件的發展
1.3.3納米電子器件及其研究內容
1.4納米尺度材料和器件的製備、測量及其表征
1.4.1電子材料和器件發展過程中的相互作用
1.4.2電子薄膜材料及其多層化薄膜器件是目前研究的主流
1.4.3納米測量和表征及其基本特點
小結
參考文獻
第二章納米材料及其電子學性質
2.1納米電子材料
2.1.1分類和特徵
2.1.2製備方法簡介
2.2納米結構及其組裝技術
2.2.1納米結構及其特徵
2.2.2納米結構的組裝技術
2.3固體電子學基礎
2.3.1晶體的電子能帶結構
2.3.2費米分布函式
2.3.3金屬和半導體中的電子分布
2.4維納米材料的電子結構
2.4.1低維半導體的電子結構
2.4.2碳納米管及其電子學性質
2.5有限高勢壘的量子隧穿理論
2.5.1一維對稱方勢壘的隧穿理論
2.5.2半導體超晶格及其微帶輸運
小結
參考文獻
第三章納米矽基CMOS器件
3.1矽基MOS積體電路技術步入納米尺度
3.1.1國際MOS積體電路技術產業發展史
3.1.2國際納米尺度CMOS器件的研究現狀
3.2納米CMOS器件面臨的挑戰
3.2.1CMOS技術面臨的挑戰
3.2.2納米CMOS器件新物理效應
3.3納米體矽CMOS器件結構
3.3.1按比例縮小限制
3.3.2納米CMOS器件中的柵結構
3.3.3納米CMOS器件中溝道結構
3.3.4納米CMOS器件中源漏淺結結構超淺結和相關離子摻雜新技術
3.4納米體矽CMOS器件工藝
3.4.1納米體矽器件的圖形製備技術
3.4.2超細柵線條和超淺pn結的製作
3.5納米體矽CMOS器件的量子效應
3.5.1薄柵氧化層的量子隧穿效應
3.5.2溝道反型層量子化效應
3.5.3溝道雜質隨機分布
3.6新型CMOS器件及其集成技術
3.6.1SOIMOSFET
3.6.2雙柵MOSFET
小結
參考文獻
第四章納米電子學基礎
4.1固體電子學在納米尺度的發展空間
4.2小尺度晶體中電子的輸運性質
4.2.1電子運動的幾個基本物理特徵長度
4.2.2晶體中電子輸運性質
4.3納米結構的基本物理現象及其規律
4.3.1納米結構中載流子輸運的幾個基本物理現象
4.3.2量子導線的理想彈道輸運和電導量子
4.3.3庫侖阻塞和單電子隧穿
4.4納米結構的Landauer一Buttiker輸運理論
4.4.1納米結構的二端單通道模式的Landauer電導公式
4.4.2納米結構的二端多通道模式的Buttiker電導公式
小結
參考文獻
第五章固態納米電子器件
5.1量子電子器件的基本類型及其特徵
5.2共振隧穿器件
5.2.1雙勢壘結構及其共振隧穿效應.
5.2.2共振隧穿器件的工作機理
5.2.3RTD套用
5.3單電子器件
5.3.1單電子盒最簡單的單電子器件
5.3.2單電子電晶體
5.4碳納米管互連及其場效應電晶體
5.4.1碳納米管輸運性質及其互連
5.4.2碳納米管場效應電晶體
5.4.3碳納米管在未來納米電子學中的發展前景
小結
參考文獻
第六章納米光電子材料和器件
6.1固體光電子學的發展歷史
6.1.1固體光電子學的發展
6.1.2納米光電子器件的起源和研究現狀
6.2低維半導體的光學性質
6.2.1半導體中的激子理論
6.2.2低維半導體中的帶間躍遷及其激子效應
6.2.3半導體量子阱中同一帶內子帶間光躍遷
6.3仁導體發光二極體
6.3.1發光二極體簡介
6.3.2白光二極體和未來照明工程
6.3.3InGaN/(3aN量子阱高亮度發光二極體
6.4異質結半導體雷射器
6.4.1雙異質結雷射器
6.4.2量子阱/超晶格異質結雷射器
6.4.3量子點半導體異質結雷射器
6.4.4單量子線半導體異質結雷射器
6.5導體光電/光熱探測器
6.5.1量子光電探測原理和套用
6.5.2光熱探測機理及套用
6.5.3納米感測器、執行器及其智慧型微系統MEMS和NEMS
6.6光子晶體及其套用
6.6.1光子晶體基本理論和基本特性
6.6.2光子晶體的製備和套用研究
小結
參考文獻
第七章納米表征和納米製造技術
7.1納米表征技術
7.1.1X射線衍射方法
7.1.2電子束分析方法
7.1.3表面分析技術
7.1.4掃描探針技術
7.2納米製造技術
7.2.1納米製造技術的兩個基本途徑及其綜合
7.2.2薄膜沉積技術及其套用
7.2.3納米結構的圖形轉移技術
7.2.4納米結構的自組裝技術
小結
參考文獻
第八章碳納米管場致發射顯示器
8.1場致發射現象及其基本規律
8.1.1真空微/納電子學和場致電子發射現象
8.1.2場致電子發射的FowleNordhaeim理論
8.1.3場致發射冷陰極的套用研究
8.2碳納米管陰極的場致發射性質
8.2.1單根碳納米管及其陣列的場致發射性質
8.2.2直接生長碳納米管膜陰極的場致發射性質
8.2.3印製型碳納米管膜陰極的場致發射性質研究
8.3碳納米管平板顯示器
8.3.1場致發射平板顯示器的顯示原理和研究現狀
8.3.2CNTFEA製備技術
8.3.3三極結構CNT-FED陰極的製備技術
8.3.4CNT-FED的發展前景
小結
參考文獻
