納晶矽，英文名 Nanocrystalline silicon (nc-Si)。是次晶結構矽的同素異形體。由於具有非晶相，納晶矽和非晶矽有些相似；它們的不同點是納晶矽在非晶相中具有晶矽顆粒。多晶矽(Polycrystalline Silicon)僅僅由晶矽顆粒組成，晶矽顆粒由晶界隔開，和納晶矽比較不存在非晶相。
基本介紹
- 中文名：納晶矽
- 英文名： Nanocrystalline silicon (nc-Si)
英文名 Nanocrystalline silicon (nc-Si)。
是次晶結構矽的同素異形體。由於具有非晶相，納晶矽和非晶矽有些相似；它們的不同點是納晶矽在非晶相中具有晶矽顆粒。多晶矽(Polycrystalline Silicon)僅僅由晶矽顆粒組成，晶矽顆粒由晶界隔開，和納晶矽比較不存在非晶相。納晶矽有時也被稱為(Microcrystalline Silicon, μc-Si)，區別是微晶矽的晶體顆粒是微米級的。通常微米級情況下，微晶實際上是多晶矽結構，所以納晶矽的稱呼對於有非晶相的結構來說更貼切些。納晶矽指稱在非晶相到微晶相的過渡帶之間的一系列物質，結晶容積率(根據拉曼光譜度量)是一種描述這個過渡帶里的物質的一種標準。
納晶矽比非晶矽具有一些更好的性質，其中包括如果晶體生長正確，由於矽晶體顆粒的出現，納晶矽具有更好的電子遷移率。由於晶粒出現，納晶矽的帶隙能量變小，因而對紅光和紅外光具有更好的吸收特性，這在太陽能光伏材料上有重要套用。納晶矽最重要的好處是由於具有更低的氫濃度，比非晶矽具有更好的穩定性。雖然納晶矽還不具有多晶矽那樣好的電子遷移率，但是納晶矽可以採用傳統的非晶矽低溫沉積技術生產，比如PECVD（提高的電漿化學氣相沉積），而不需要多晶矽那樣昂貴的雷射退火或者高溫CVD。
納晶矽主要用途是在矽薄膜太陽能電池領域。
