穿流效應draining effect在層流的情況下,溶劑在高分子質心處的流速與外部相同,即高分子遷移時不帶走高分子內部的溶劑,溶劑的流動與高分子的存在無關,此種情況稱為自由穿流。
基本介紹
- 中文名:穿流效應
- 外文名:draining effect
穿流效應draining effect在層流的情況下,溶劑在高分子質心處的流速與外部相同,即高分子遷移時不帶走高分子內部的溶劑,溶劑的流動與高分子的存在無關,此種情況稱為自由穿流。
穿流效應draining effect在層流的情況下,溶劑在高分子質心處的流速與外部相同,即高分子遷移時不帶走高分子內部的溶劑,溶劑的流動與高分子的存在無關,此種情況稱為自由穿流。若流速增大後,溶劑只能在高分子的外緣作相...
約瑟夫森效應屬於隧穿效應,但有別於一般的隧道效應,它是庫伯電子對通過由超導體間通過弱連線形成約瑟夫森結的超流效應。簡介 由微觀粒子波動性所確定的量子效應。又稱勢壘貫穿。考慮粒子運動遇到一個高於粒子能量的勢壘,按照經典力學,粒子是不可能越過勢壘的;按照量子力學可以解出除了在勢壘處的反射外,還有透過勢壘...
1931年,華特·蕭特基給出德文術語“wellenmechanische Tunneleffekt”,即“波動力學隧穿效應”。隔年,雅科夫·弗倫克爾在著作《波動力學,基本理論》里,首先給出英文術語“tunnel effect”。在30年代與40年代,物理學者嘗試用電子隧穿機制來解釋在金屬半導體系統里電子流的整流性質,但遭遇到很多困難,時常會得到相反的...
而少數自旋子帶的電子也將進入另一磁性層中多數自旋子帶的空態,這種狀態的隧穿電流比較小。因此,隧穿電導隨著兩鐵磁層磁化方向的改變而變化,磁化矢量平行時的電導高於反平行時的電導。通過施加外磁場可以改變兩鐵磁層的磁化方向,從而使得隧穿電阻發生變化,導致TMR效應的出現。
電子從一個磁性層隧穿到另一個磁性層的隧穿幾率與兩磁性層的磁化方向有關。量子隧道效應 量子隧道效應是基本的量子現象之一,即當微觀粒子的總能量小於勢壘高度時,該粒子仍能穿越這一勢壘。按經典理論,粒子為脫離此能量的勢壘,必須從勢壘的頂部越過。但由於量子力學中的量子不確定性,時間和能量為一組共軛量。在...
溝道穿通效應(Channel punchthrough effect )就是場效應電晶體的源結與漏結的耗盡區相連通的一種現象。這種效應是在小尺寸場效應電晶體中有可能發生的一種效應,因此也往往就是限制MOSFET尺寸縮小的一種重要的因素。這是VLSI中很值得重視的一個問題。溝道穿通效應的影響:當溝道一穿通,就使源-漏間的勢壘顯著...
近年來發現南海一方面通過海面水熱交換影響大氣,一方面通過印尼貫穿流對全球熱鹽大傳送帶有所貢獻。中國科學院方國洪院士認為,南海貫穿流是印尼貫穿流的一個重要分支,“南海貫穿流”的存在表明,西菲律賓海海水在呂宋海峽入侵的基本機制是全球風場和熱鹽效應,它比單純的黑潮動力作用影響更深遠,更重要。意義 利用模式...
研究低溫(<150K)下的量子隧穿現象和光子作用下的量子隧穿增強效應的本質。本課題將採用恰當的動力學模型,計算電子-空穴穿越異質結勢壘的機率流密度,分析界面區域和點缺陷高濃度區域的量子平均自由程,少子壽命和界面態密度等因素對器件光電導參數分布的影響,設計具有針對性的實驗方法,提出實驗上和理論上的解決...
在原子核附近出現的機率較大的電子,可更多地避免其餘電子的排斥,受到核的較強的吸引而更靠近核,這種進入原子內部空間的作用叫做鑽穿效應(penetration effect),鑽穿效應可以使能級降低。基本性質 從量子力學觀點來看,電子可以出現在原子內任何位置上。也就是說,外層電子可以鑽入內部殼層而更靠近原子核,從而削弱...
解釋一:短溝道效應主要是指閾值電壓與溝道相關到非常嚴重的程度。解釋二:溝道長度減小到一定程度後出現的一系列二級物理效應統稱為短溝道效應。如漏極勢壘降低(DIBL),隨著漏源電壓的增大,漏襯反偏PN結空間電荷區展寬,則溝道的有效長度減小,此在短溝道中尤為明顯, 嚴重會導致源漏穿通器件失效。內容 短溝道...
《管道消聲中穿孔板切向流效應及其非定常流體動力過程》是依託北京航空航天大學,由景曉東擔任項目負責人的青年科學基金項目。基本信息 項目摘要 切向流效應是流體機械中穿孔板聲學的研究重點。然而,目前相關研究中存在的突出問題是理論較為欠缺,在機理上缺乏認識,設計方法還在很大程度上依賴於經驗。這種情況既與目前...
量子跳躍 量子跳躍(Quantum jump)是指量子理論中,粒子有可能在有限機率下發生“穿隧效應”(Tunneleffect)或稱“量子跳躍”(Quantumleap),因而穿透不可滲透的障礙物。利用這個理論,美國電視影集QuantumLeap(1989~1993)讓主角身體的粒子“穿隧”的機率增加,終於發生了時間旅行。
隧穿電流(tunneling current)是指在微電子技術中,當半導體的勢壘或者二氧化矽薄膜的厚度,薄至與載流子的德布羅意波(de Broglie波)的波長差不多時,發生載流子的量子隧穿效應的電流。基本概念 對於有限高度的勢壘,當勢壘厚度與微觀粒子的de Broglie波長接近時,則對於微觀粒子來說,該勢壘就是量子勢壘;因為這時的...
理論中,粒子有可能在有限機率下發生“穿隧效應”(Tunneleffect)或稱“量子跳躍”(Quantumleap),因而穿透不可滲透的障礙物。利用這個理論,美國電視影集QuantumLeap(1989~1993,不輸不知道怎么翻譯)讓主角身體的粒子“穿隧”的機率增加,終於發生了時間旅行。相對論 愛因斯坦發表的相對論中,假設“光速絕對不變”...
隧穿電子是指發生隧穿的電子。隧穿效應是一種量子特性,是電子等微觀粒子能夠穿過它們本來無法通過的“牆壁”的現象。隧穿效應 量子隧穿效應是一種量子特性,是電子等微觀粒子能夠穿過它們本來無法通過的“牆壁”的現象。又稱隧穿效應,勢壘貫穿。在兩塊金屬(或半導體、超導體)之間夾一層厚度約為0.1nm的極薄絕緣...
量子隧穿效應是太陽核聚變所倚賴的機制。量子隧穿效應限制了太陽燃燒的速率,是太陽聚變循環的瓶頸,因此維持太陽的長久壽命。許多現代器件的運作都倚賴這效應,例如,隧道二極體、場致發射、約瑟夫森結、磁隧道結等等。掃描隧道顯微鏡、原子鐘也套用到量子隧穿效應。量子隧穿理論也被套用在半導體物理學、超導體物理學等...
隧穿注入 隧穿注入是通過量子力學的隧穿效應實現電子注入的過程。在此情況下,器件的電流與環境溫度無關,一般當界面能壘較高或電場強度較大時,器件電流表現為這種形式。
BJT發生穿通時所對應的反向偏壓稱為穿通電壓。穿通效應產生的機理可區分為基區穿通、外延層穿通和缺陷造成的局部穿通等幾種,相應地就有不同的穿通電壓指標——基區穿通電壓、外延層穿通電壓和局部穿通電壓等。基區穿通 BJT的基區穿通就是集電結還未發生雪崩倍增時、集電結勢壘區就已經擴展到了整個基區(...
12.2量子限域效應 12.2.1量子阱 12.2.2量子線 12.2.3量子點 12.2.4態密度 習題 第13章半導體磁效應 13.1到了重新發明電晶體的時候了?13.2自旋和自旋電子學 13.3半導體的磁效應 13.4自旋霍爾效應 習題 第14章隧道型量子器件基礎 14.1半導體隧道效應 14.1.1共振隧穿二極體RTD 14.1.2隧穿場效應...
隧穿磁阻率表示隧道磁電阻效應的電阻大小。鐵磁薄片的磁化方向可以在外磁場的控制下被獨立的切換。如果極化方向平行,那么電子隧穿過絕緣層的可能性會更大,其巨觀表現為電阻小;如果極化方向反平行,那么電子隧穿過絕緣層的可能性較小,其巨觀表現是電阻極大。因此,這種結可以在兩種電阻狀態中切換,即高阻態和低阻...
“假如我們嘗試著以單一系統的量子狀態去客觀定義,不尋常的悖論就出現了: 量子效應不只模仿一瞬間的實時動作,而且還看到未來活動在過去事件中的影響,即便是在這些事件過後已不可逆的被記錄下來。”-量子訊息理論大師Asher Peres。雖然我們還完全沒辦法進出封閉類時曲線(CTC),但還是有很充分的理由相信這種形式的時間...
Maserjian和zarnan首次提出電荷輔助遂穿效應的觀點,提出電子注入使Si/SiO2面處止電荷的產生並積累對遂穿電流有顯著貢獻。後來又有人提出SILC並不是由於氧化層中正電荷的產生積累而產生的,而是產生一柵氧化層的局部的缺陷、離子沾污、以及注入界面處存在的弱鍵所引起的。基本介紹 MOS集成度和功能的進一步的發展要求...
隨著MOSFETs柵介質厚度縮小到lOnm,帶帶隧穿導致的柵致漏電GIDL開始成為MOSFET中一個問題,這個現象最早在1987年提出。儘管柵致漏電是MOSFET中不希望出現的問題,但是柵致漏電的帶帶隧穿機制就是縱向隧穿場效應電晶體的物理基礎。橫向隊穿場效應電晶體和縱向隧穿場效應電晶體介紹 以帶帶隧穿為工作原理的TFET器件可以分...
當與集電極-發射極電壓對應的空間電荷區電場增大時,在空間電荷區內將發生載流子的碰撞電離和雪崩倍增效應。當集電極-發射極電壓增大到雪崩擊穿電壓時,進入雪崩擊穿狀態,通常這一擊穿稱為器件的正向擊穿。簡介 一般情況下,正向電壓1V左右就可以“擊穿”二極體,此時稱為正向擊穿,不過我們稱之為不導通。工作於正向偏置...
勢壘貫穿就是指電子波遇到勢壘而產生的干涉和隧道效應。勢壘能量為U,按經典力學理論,只有粒子能量E大於U的時候才能越過勢壘,運動到勢壘另一側。但量子力學中,能量E小於U時,粒子也有一定機率運動到勢壘另一側,或按一定機率被勢壘反射回來。勢壘貫穿是個形象的比喻,就是說不需要很高的能量越過勢壘,而是在能量較低...
(在漏端夾斷區更明顯),倍增出的電子將被漏極吸收、並使漏極電流劇增而導致器件擊穿——溝道雪崩擊穿;與此同時也將產生較大的寄生襯底電流 (空穴被襯底吸收所致)。短溝道MOSFET發生擊穿而失效的主要原因往往就是溝道雪崩擊穿與溝道穿通兩種效應。
諧振隧穿二極體(Resonant tunneling diode, RTD)是利用電子在某些能級能夠諧振隧穿而導通的二極體。其電流電壓特性常顯示出負阻特性。所有的隧道二極體(Tunnel diode)都是利用量子隧穿效應工作的。它們大多具有負阻的電流電壓特性,用於高速電子器件,因為隧穿薄層的時間很短,比如振盪器。最高工作頻率可達THz.諧振隧穿...
它們的靜電電位都很高。由於靜電的力學效應,在這種情況下,很容易使工作場所的浮游塵埃吸附於晶片表面,而很小的塵埃吸附都有可能影響半導體器件的良好性能。所以電子產品的生產必須在清潔環境中操作,並且操作人員、器具及環境必須採取一系列的防靜電措施,以防止和降低靜電危害的形成。2.介質擊穿的分類 由靜電引起元...
共振隧穿二極體(是最早研製成功的納米電子器件之一),已經將RTD與高遷移電晶體(HEMT)結合研製出了多種高速數字電路.共振隧穿二極體的工作原理和特性這是由兩個量子勢壘夾有一個量子勢阱而構成的一種兩端量子器件,它是依靠所謂共振隧穿效應來工作的,具有負阻的伏安特性。現在它已經成為了納米量子器件的一種基本器件。
