溝道雪崩擊穿

Channel avalanche breakdown

溝道雪崩擊穿是小尺寸MOSFET中的一種強電場效應。在短溝道n-MOSFET中，溝道中較強的電場，可使溝道中的電子通過碰撞電離和雪崩倍增而產生出大量的電子-空穴對 (在漏端夾斷區更明顯)，倍增出的電子將被漏極吸收、並使漏極電流劇增而導致器件擊穿——溝道雪崩擊穿；與此同時也將產生較大的寄生襯底電流 (空穴被襯底吸收所致)。

短溝道MOSFET發生擊穿而失效的主要原因往往就是溝道雪崩擊穿與溝道穿通兩種效應。