基本介紹
- 中文名：禁帶躍遷
- 含義：窄禁帶半導體基本物理過程
- 類型：物理
- 形式：能量差稱
光電躍遷效應是窄禁帶半導體紅外探測器的基本物理過程。
半導體能帶結構中,導帶最低點與價帶最高點之間的能量差稱為禁頻寬度,以Eg表示(單位為電子伏特ev).若禁頻寬度Eg
禁帶躍遷
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