祝寧華

祝寧華

祝寧華,男,研究員,博士生導師,98年度國家傑出青年基金獲得者。1990年畢業於電子科技大學,獲工學博士學位。

現任中國科學院半導體研究所副所長,國家重點專項“光電子與微電子器件及集成”專家組組長。長期致力於光電子器件研發。

2018年獲頒第12屆光華工程科技獎

基本介紹

  • 中文名:祝寧華
  • 國籍:中國
  • 民族:漢
  • 職業:研究員,博士生導師
  • 畢業院校電子科技大學
  • 主要成就:第12屆光華工程科技獎 
經歷,成就,主要項目,代表論文,

經歷

1990年畢業於電子科技大學,獲工學博士學位,1990年到中山大學做博士後,1992年晉升副教授,1994年晉升教授。1994年至1995年在香港城市大學任研究員,主持和參加了三個研究項目。1996年至1998年在德國慕尼黑西門子公司,客座科學家(洪堡研究員)。參加了10Gb/s半導體雷射器模組和40Gb/s電吸收調製器模組從研究開發到批量生產的全過程工作。現任半導體所研究員,國家光電子工藝中心副主任。主要從事光波導調製器及微波積體電路的理論與實驗研究,高速半導體雷射器和調製器及模組的研究開發。主持中科院重點, "863"重大, "973"課題。實驗室設備良好,經費充足。

成就

完成的"863"研究成果經財政部確認評估價值為1107萬元,目前正在進行成果產業化。作為第一作者在IEEE JQE,IEEE PTL, IEEE MTT和OQE等國外知名刊物上發表論文四十多篇。1998年與香港城市大學建立聯合光子學實驗室,任副主任,聯合培養碩士和博士生,可授香港城市大學或中國科學院學位。現招聘博士後,招收博士生及碩博連讀生。

主要項目

1. 863主題項目:光子集成技術與系統套用,(2011-2013) (8000萬)(首席)
2. 基金委重大項目:高速光電子集成基礎研究,(2011-2014) (1000萬)(首席)
3. 基金委創新研究群體科學基金項目,半導體集成光電子器件及其基礎研究, (2011-2013)(600萬)(首席)
4. "973"課題: 新型半導體光電功能集成結構材料 (2006-2010) (400萬)(負責人)
5. 基金委重大國際合作項目:半導體光子集成器件設計、研製與封裝, (2009-2012)(100萬)(負責人)

代表論文

1. N.H.Zhu, J.W.Man, H.G.Zhang, J.H.Ke, W.Han, W.Chen, Y.Liu, X.Wang, H.Q.Yuan, and L.Xie, “Lineshape analysis of the beat signal between optical carrier and delayed sidebands,” IEEE J. Quantum Electron., vol
2. N.H.Zhu, J.H.Ke, H.G.Zhang, W.Chen, L.J.Zhao, and W.Wang, “Wavelength coded optical time-domain reflectometry,” J. Lightwave Tech
3. N.H.Zhu, G.Z.Xu, W.Hofmann, W.Chen, G.Böhm, Y.Liu, X.Wang, L.Xie, and M.C. Amann, “Small-signal equivalent circuit model and characterization of 1.55 mm InGaAlAs/InP VCSELs,” IEEE Trans. Microwave Theory Tech
4. N.H.Zhu, H.G.Zhang, J.W.Man, H.L.Zhu, J.H.Ke, Y.Liu, X.Wang, H.Q.Yuan, L.Xie, and W.Wang, “Microwave generation in an electro-absorption modulator integrated with a DFB laser subject to optical injection,” Optics Express, vol
5. N.H.Zhu, W.Li, L.X.Wang, S.F.Chen, J.H.Ke, Y.L.Zhang, J.M.Wen, Y.Liu, X.Wang, H.Q.Yan, and L.Xie “Study on frequency coherence properties of light beams,” IEEE J. Quantum Electron
6. N.H.Zhu, Q.Q.G.Hasen, H.G. Zhang, J.M.Wen, and L.Xie, “Dynamic P-I and P-V curves for semiconductor lasers and modulators,” IEEE J. Lightwave Tech
7. N.H.Zhu, W.Li, W. Han, W.Chen, J.M.Wen, and L.Xie, “Enhanced modulation bandwidth of a Fabry-Perot semiconductor laser subject to light injection from another Fabry-Perot laser,” IEEE J. Quantum Electron
8. N.H.Zhu, J.M.Wen, W.Chen, and L.Xie “Hyperfine spectral structure of semiconductor lasers,” Physical Review A
9. N.H.Zhu, G.H.Hou, H.P.Huang, G.Z.Xu, T.Zhang, Y.Liu, H.L.Zhu, L.J.Zhao, and W.Wang, “Electrical and optical coupling in an electro-absorption modulator integrated with a DFB laser,” IEEE J. Quantum Electron
10.N.H.Zhu, J.M.Wen, H.S.San, H.P.Huang, L.J.Zhao, and W.Wang, "Improved optical heterodyne methods for measuring frequency responses of photodetectors," IEEE J. Quantum Electron

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