基本介紹
- 中文名:矽片旋轉差
- 外文名:wafer rotation
指積體電路製造工藝光刻模組中進行對準時,矽片中心因旋轉而產生的位置偏差。光刻工藝中,當前工藝層套刻標記圖形和前道光刻工藝層套刻標記圖形相對位置進行套刻對準時,沿矽片中心因旋轉而產生的位置偏差,通常用角度來表征。旋轉通常是由於...
將矽片置於基準環的3個支點上,3支點形成一個基準面,用低壓力位移指示器測量矽片中心偏離基準平面的距離,翻轉矽片,重複測量。兩次測量值之差的一半就表示矽片的彎曲度。基準環如圖1所示。1.2 影響測量的因素 1.本方法測試彎曲度是...
也稱減薄腐蝕,目的是除去切磨後矽片表面的損傷層和沾污層,改善表面質量和提高表面平整度。化學腐蝕法有籃式、桶式、旋轉桿式和盒式,採用氫氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液從矽片兩側腐蝕掉一定的厚度。
a、整盒矽片浸沒式顯影(Batch Development)。缺點:顯影液消耗很大;顯影的均勻性差;b、連續噴霧顯影(Continuous Spray Development)/自動旋轉顯影(Auto-rotation Development)。一個或多個噴嘴噴灑顯影液在矽片表面,同時矽片低速旋轉(...
RD 與TD方向不同區域差別很小,看不出亞晶粒之間的反差,這表明各亞晶粒之間以 001 > 為軸的旋轉角度差也很小; 同時還可以看到,相互之間色度幾乎相同,這說明矽片中晶粒取向在矽片平面上是旋轉對稱的。通過對一種制絨後呈現出的表面...
顯影是在矽片表面光刻膠中產生圖形的關鍵步驟。光刻膠上的可溶解區域被化學顯影劑溶解,將可見的島或者視窗圖形留在矽片表面。最常見的顯影方法是旋轉、噴霧、浸潤,然後顯影。矽片用去離子水沖洗後甩乾。顯影過程如圖1所示,非曝光區的...
在矽片上旋轉塗布光刻膠之後,矽片要經過一個高溫步驟,稱為軟烘。光刻膠軟烘的原因有以下幾點:(1)將矽片上覆蓋的光刻膠溶劑去除;(2)增強光刻膠的粘附性以便在顯影時光刻膠可以很好地粘附;(3)緩和在旋轉過程中光刻膠膜內...
場像處理對準技術是通過CCDS攝像對兩個對位標記圖像進行採集、濾波、特徵提取等處理,最後通過圖像處理單元(image processing unit)進行精確定位和匹配參數計算,求得掩模圖樣與矽片基板之間的相對旋轉和平移量,然後進行相位補償和平移量補償...
將光刻膠溶液噴灑在矽片表面;加速旋轉托盤(矽片),直到達到所需的旋轉速度;達到所需的旋轉速度之後,以這一速度保持一段時間。以旋轉的托盤為參考系,光刻膠在隨之旋轉受到離心力,使得光刻膠向著矽片外圍移動,故塗膠也可以被稱作甩...
為方便起見,可將光刻的圖形形成過程分為8個步驟,即氣象成底膜,旋轉塗膠,軟烘,對準和曝光,曝光後烘焙,顯影,堅膜烘焙,顯影檢查。光刻膠軟烘的原因 光刻膠軟烘的原因有:1.將矽片上覆蓋的光刻膠溶劑去除;2.增強光刻膠的...
