| 中文名稱 | 直接躍遷型半導體材料 |
| 英文名稱 | direct transition semiconductor materials |
| 定 義 | 導帶極小值和價帶極大值位於k空間同一點的半導體。電子和光子直接相互作用不需聲子參與而實現導帶和價帶間躍遷。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科） |
| 中文名稱 | 直接躍遷型半導體材料 |
| 英文名稱 | direct transition semiconductor materials |
| 定 義 | 導帶極小值和價帶極大值位於k空間同一點的半導體。電子和光子直接相互作用不需聲子參與而實現導帶和價帶間躍遷。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科） |
中文名稱 直接躍遷型半導體材料 英文名稱 direct transition semiconductor materials 定義 導帶極小值和價帶極大值位於k空間同一點的半導體。電子和光子直接相互...
導帶極小值和價帶極大值不在k空間同一點,電子在價帶和導帶間的躍遷需要聲子參與的半導體。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),化合物半導...
砷化鎵屬立方晶系,有直接躍遷型能帶結構,呈現負阻效應,其電子遷移率比矽高約8...磷化銦也是直接帶隙半導體材料,300K時,其帶隙寬度為 1.35電子伏特(eV)。適於...
10.2 半導體的光吸收 [1,2]10.2.1 本徵吸收10.2.2 直接躍遷和間接躍遷...10.6.4 雷射材料10.7 半導體異質結在光電子器件中的套用10.7.1 單異質結...
9.2.1 直接躍遷 (193)9.2.2 間接躍遷 (195)9.3 激子吸收 (197)...附錄B 半導體材料物理性質表 (225)參考文獻 [1] 參考資料 1. 半導體物理學...
3.3.3p型摻雜與電學性質 3.4GaN半導體材料 3.4.1GaN的晶格結構和能帶 ...4.4半導體的光吸收 4.4.1本徵吸收 4.4.2直接躍遷和間接躍遷 4.4.3其他吸收...
由ⅣA族元素Sn和ⅥA族元素Te化合而成的Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體材料。分子式為SnTe。室溫下禁頻寬度為0.60eV,屬直接躍遷型能帶結構。 套用學科 材料科學技術(一級...
碲化鎘作為一種重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半導體材料,晶體結構為閃鋅礦型。具有直接躍遷型能帶結構,晶格常數0.6481nm,禁頻寬度1.5eV(25℃),室溫電子遷移率1050Cm2/(V...
少子,又稱少數載流子,是指在N型半導體中,空穴稱為少數載流子,簡稱少子。少子是半導體物理的概念。半導體材料中有電子和空穴兩種載流子。如果在半導體材料中某種...
砷化鎵(GaAs)是一種重要的化合物半導體材料,具有電子遷移率高、直接躍遷型能帶結構等優點,主要用於製備微電子器件和光電子器件。液封直拉技術生長GaAs單晶獲得了廣泛...
少子壽命是半導體材料和器件的重要參數。它直接反映了材料的質量和器件特性。能夠...對於GaAs等直接躍遷的半導體,因為導帶底與價帶頂都在Brillouin區的同一點,故...
第4章半導體雷射器4.1半導體的能帶結構和電子狀態4.1.1能帶概念的引入4.1.2半導體中的電子狀態4.2激發與複合輻射4.2.1直接躍遷和半導體雷射材料...
2.6半導體的能帶結構和電子狀態 [2] 2.6.1能帶概念的引入2.6.2半導體中的電子狀態2.7激發與複合輻射2.7.1直接躍遷和半導體發光材料2.7.2態密度和電子的激發...
的光照射半導體材料如果光子的能量大于禁頻寬度,位於價帶的電子受激發躍遷到導帶...(擴散為主)來工作的雙極型半導體器件,少數載流子壽命是一個直接影響到器件性能的...