基本介紹
基本信息,簡歷,教育背景,工作簡歷,研究方向,社會任職,獲獎及榮譽,論文,譯著,科研項目,主持獨立承擔的研究工作,主要參與全過程的課題,授權國內發明專利,
基本信息
姓 名: 畢津順
性 別: 男
職 務:
職 稱: 副研究員
學 歷: 博士
通訊地址: 北京市朝陽區北土城西路3號
所屬部門：
矽器件與集成技術研發中心（一室）
簡歷
教育背景
2003年9月- 2008年6月 – 中國科學院微電子研究所，碩博連讀，獲得工學博士學位。
工作簡歷
2008年6月- 2012年5月 – 中國科學院微電子研究所矽器件與集成技術研究室工作，歷任助理研究員，副研究員，從事半導體器件和積體電路輻照效應和抗輻射加固技術研究以及產品開發。
2012年5月- 2013年8月 – 中國科學院公派至美國范德堡大學（Vanderbilt University）空間電子防禦研究所進行訪問學習，師從半導體輻照效應與加固技術領域國際權威IEEE FELLOW Dan Fleetwood和Ron Schrimpf教授。
2013年8月 – 至今 – 中國科學院微電子研究所矽器件與集成技術研究室工作，副研究員，繼續從事半導體器件和積體電路輻照效應和抗輻射加固技術研究以及產品開發。
研究方向
半導體器件和積體電路輻照效應和抗輻射加固技術
社會任職
IEEE Member。中國科學院青年創新促進會成員。《半導體學報》、《電子學報》、《Science China》和《Radiation Effects and Defects in Solids》等期刊審稿人。國家自然科學基金項目評議人。 2013年北京地區微電子博士生論壇技術委員會委員。
獲獎及榮譽
2007年度中國科學院院長獎學金優秀獎。
論文
1.Jinshun Bi, Zhengsheng Han, En Xia Zhang, Mike McCurdy, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, Michael L. Alles, Robert A. Weller, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini, “The Impact of X-Ray and Proton Irradiation on HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories”, IEEE Transactions on Nuclear Science,
2.Jordan D Greenlee, Joshua C. Shank, James L. Compagnoni, M. Brooks Tellekamp, Enxia Zhang, Jinshun Bi, Daniel M. Fleetwood, Michael L. Alles, Ronald D. Schrimpf, and W. Alan Doolittle, “Radiation effects on LiNbO2 memristor for neuromorphic computing applications”, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 60, Issue 6, 2013
3.畢津順，海潮和，韓鄭生，“深亞微米SOI射頻 LDMOS功率特性研究”,物理學報
4.畢津順，劉剛，羅家俊，韓鄭生，“22nm工藝超薄體全耗盡絕緣體上矽電晶體單粒子瞬態效應研究”，物理學報
5.Jinshun Bi, Chuanbin Zeng, Linchun Gao, Duoli Li, Gang Liu, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, and D. Fleetwood, “Estimation of pulsed laser induced single event transient in a PDSOI 0.18μm single MOSFET”, The 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, 2012
6.Jinshun Bi, Zhengsheng Han, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, and D. M. Fleetwood, “Neutron-induced single-event-transient effects in ultrathin-body fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs”, IEEE International Reliability Physics Symposium, 2013
7.Jinshun Bi, Zhengsheng Han, En Xia Zhang, Mike McCurdy, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, Michael L. Alles, Robert A. Weller, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini, “Total-dose response of HfO2/Hf-based bipolar resistive memories”, IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC), 2013
8.Jordan D Greenlee, Joshua C. Shank, James L. Compagnoni, M. Brooks Tellekamp, Enxia Zhang, Jinshun Bi, Daniel M. Fleetwood, Michael L. Alles, Ronald D. Schrimpf, and W. Alan Doolittle, “Radiation effects on LiNbO2 memristor for neuromorphic computing applications”, IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC), 2013
9.William G. Bennett, Nicholas C. Hooten, Ronald D. Schrimpf, Jinshun Bi, Mike L. Alles, Robert A. Reed, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini, “Single event induced upsets in HfO2/Hf 1T1R RRAM”, Radiation Effects on Components and Systems(RADECS), 2013
10.Jinshun Bi, Jianhui Bo, and Zhengsheng Han, “Extraction method for thermal resistance in deep submicron PDSOI MOSFETs”, International Conference on Microelectronics and Nanotechnology, 2010
11.Jinshun Bi, and Chaohe Hai, “Off-state breakdown characteristics of PDSOI nMOSFETs”, Chinese Journals of Semiconductors
12.Jinshun Bi, and Chaohe Hai, “Study on the characteristics of SOI DTMOS with reverse schottky barriers”, Chinese Journals of Semiconductors
13. Jinshun Bi, Limei Song, Chaohe Hai, and Zhengsheng Han, “Back-gate effect of SOI LDMOSFETs”, Chinese Journals of Semiconductor
14.Jinshun Bi, Junfeng Wu, and Chaohe Hai, “Simulation of a double-gate dynamic threshold voltage fully depleted silicon-on-insulator nMOSFET”, Chinese Journals of Semiconductors
15.Jinshun Bi, and Chaohe Hai, “The PDSOI accumulation-mode dynamic threshold pMOS with reversed schottky barrier”, International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2007
16.Jinshun Bi, Gang Liu, Jianjun Luo , and Zhengsheng Han, “High reliable silicon-on-insulator CMOS technology aimed at lunar and deep space exploration”, 1st Beijing International Forum on Lunar and Deep-space Exploration, 2013
17.Bo Mei, Jinshun Bi, Duoli Li, Sinan Liu, and Zhengsheng Han, “Influence of back-gate stress on the back-gate threshold voltage of a LOCOS-isolated SOI MOSFET”, Chinese Journals of Semiconductors,
18.Wenbin Song, Jinshun Bi, and Zhengsheng Han, “A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations”, Chinese Journals of Semiconductors
19.Jianhui Bo, Jinshun Bi, Limei Song, and Zhengsheng Han, “Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs”, Chinese Journals of Semiconductors
20.Jianhui Bo, Jinshun Bi, Xianjun Ma, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, and Haogang Cai, “A compact model for the STI y-stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs”, International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2012
21.Jianhui Bo, Jinshun Bi, Linmao Xi, and Zhengsheng Han, “Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction”, Chinese Journals of Semiconductors, 2010
22.Jianhui Bo, Jinshun Bi, Mengxin Liu, and Zhengsheng Han, “A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS”, Chinese Journals of Semiconductors
23.畢津順，海潮和，“抗輻照加固SOI SRAM研究”，第七屆全國SOI技術研討會，2007
24.畢津順，曾傳濱，劉剛，羅家俊，韓鄭生，“面向深空探測耐低溫抗輻射積體電路設計方法學研究”，中國宇航學會深空探測技術專業委員會第八屆學術年會論文集，2011
25.畢津順，海潮和，“PDSOI體源連線環形柵nMOS特性研究”，固體電子學研究與進展
26.畢津順，海潮和，“0.8μm PDSOI CMOS器件和環振電路研究”，半導體技術
27.畢津順，海潮和，韓鄭生，“SOI動態閾值MOS研究進展”，電子器件
28.宋文斌，畢津順，韓鄭生，“新型部分耗盡SOI器件體接觸結構”，半導體技術
29.畢津順，韓鄭生，海潮和，“SOI DTMOS溫度特性研究”，半導體技術
30.畢津順，韓鄭生，海潮和，“130nm PDSOI DTMOS體延遲研究”，半導體技術
31.畢津順，范紫菡，曾傳濱，羅家俊，韓鄭生，“PDSOI 單粒子翻轉SPICE模型研究”，第十七屆全國半導體積體電路，矽材料學術會議，2011
32.田建，畢津順，羅家俊，韓鄭生，“薄柵氧機理損傷研究”，第十七屆全國半導體積體電路，矽材料學術會議，2011
33.卜建輝，畢津順，呂蔭學，羅家俊，韓鄭生，“深亞微米PDSOI nMOSFETs 熱載流子壽命研究”，第十七屆全國半導體積體電路，矽材料學術會議，2011
34.曾傳濱，畢津順，姜一波，羅家俊，韓鄭生，“PDSOI ESD防護用SCR結構研究”，第十七屆全國半導體積體電路，矽材料學術會議，2011
35.卜建輝，畢津順，劉夢新，羅家俊，韓鄭生，“SOI器件總劑量輻射模型研究”，第十一屆全國抗輻射電子學與電磁脈衝學術年會，2011
36.賈少旭，畢津順，曾傳濱，韓鄭生，“核反應影響半導體器件單粒子翻轉的Geant4仿真”，核技術，2012，第10期
37.范雪梅，畢津順，劉夢新，杜寰，“PD SOI MOSFET低頻噪聲研究進展”，微電子學
38.范子菡，畢津順，羅家俊，“基於PDSOI單粒子翻轉物理機制的SPICE模型研究”，微電子學與計算機，2011，第12期
39.賈少旭，畢津順，劉剛，羅家俊，韓鄭生，“Geant4套用於半導體器件單粒子翻轉效應的研究”，中國宇航學會深空探測技術專業委員會第十屆學術年會論文集，2013
40.宿曉慧，畢津順，劉剛，羅家俊，韓鄭生，“空間輻射單粒子瞬態脈衝寬度測量電路研究”中國宇航學會深空探測技術專業委員會第十屆學術年會論文集
41.Bo Mei, Jinshun Bi, Jianhui Bo, and Zhengsheng Han, “Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs”, Chinese Journals of Semiconductors, 2013, 34(1):014004-6
42.Junfeng Wu, Duoli Li, Jinshun Bi, Lijun Xue, and Zhengsheng Han, “Influence of edge implant on subthreshold leakage current of H-Gate SOI pMOSFETs”, Chinese Journals of Semiconductors
43.Junfeng Wu, Xinghua Zhong, Duoli Li, Jinshun Bi, and Chaohe Hai, “Improved breakdown voltage of partially depleted SOI nMOSFETs with half-back-channel implantation”, Chinese Journals of Semiconductors
44.Mengxin Liu, Zhengsheng Han, Jinshun Bi, Xuemei Fan, Gang Liu, Huan Du, and Limei Song, “Total ionizing dose radiation effects of RF PDSOI LDMOS transistors”, Chinese Journals of Semiconductors
45.Mengxin Liu, Zhengsheng Han, Jinshun Bi, Xuemei Fan, Gang Liu, and Huan Du, “Effect of total ionizing dose radiation on the 0.25 μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide”, Chinese Journals of Semiconductors
46.Yiqi Wang, Mengxin Liu, Jinshun Bi, and Zhengsheng Han, “PDSOI DTMOS for analog and RF application”, Chinese Journals of Semiconductors
譯著
《現代電子系統軟錯誤》，畢津順，韓鄭生，電子工業出版社，2014
科研項目
主持獨立承擔的研究工作
1.國家自然基金面上項目：“面向空間套用深亞微米SOI 集成器件輻照損傷機理研究”, 項目起止時間2012年-2015年。
2.中國科學院國防科技創新項目，已結題。
3.中國科學院院長獎獲得者科研啟動專項：“深亞微米CMOS器件輻照損傷機制與理論模型研究”，已結題。
4.中國科學院微電子研究所所長基金項目：“深亞微米CMOS器件輻照損傷機制與理論模型研究”，已結題
主要參與全過程的課題
1.國家自然基金面上項目：“SOI射頻SOC的集成器件及工藝基礎研究”，已結題，終評為優秀。
2.國家重點基礎研究發展計畫項目子課題（973）：“高性能低功耗新型納米尺度CMOS器件研究”，已結題。
3.國家自然基金重點項目：“地面模擬空間輻射環境下的技術方法及單粒子效應研究”，項目起止時間2012年-2015年。
5.中國科學院微電子研究所所長基金項目：“0.5微米、0.8微米CMOS/SOI器件模型參數提參及單元庫建立”，已結題。
6.國家極大規模積體電路重大專項研究計畫項目：“SOI CMOS半導體特種器件的研發”。
7.中國科學院支撐裝備預研項目，項目起止時間2011年-2015年。
授權國內發明專利
1.專利名稱：一種製備低柵擴展電容絕緣體上矽體接觸器件的方法
發明人： 畢津順，海潮和
2.專利名稱：一種CMOS積體電路抗單粒子輻照加固電路
發明人： 畢津順，海潮和，韓鄭生，羅家俊
3.專利名稱：一種CMOS電路單粒子瞬態的建模方法
發明人： 畢津順，海潮和，韓鄭生，羅家俊
4.專利名稱：電晶體測試裝置及方法
發明人： 畢津順，海潮和，韓鄭生，羅家俊
5.專利名稱：一種絕緣體上矽器件及其製備方法
發明人： 畢津順，海潮和，韓鄭生，羅家俊
6.專利名稱：靜電放電保護用可控矽結構
發明人： 曾傳濱 ，畢津順，李多力，羅家俊，韓鄭生
7.專利名稱：一種製作部分耗盡SOI器件體接觸結構的方法
發明人： 宋文斌，畢津順，韓鄭生
8.專利名稱：具有H型柵的射頻SOI LDMOS器件
發明人： 劉夢新，畢津順，范雪梅，趙超榮，韓鄭生，劉剛
9.專利名稱：具有緊密體接觸的射頻SOI LDMOS器件
發明人： 劉夢新，畢津順，范雪梅，趙超榮，韓鄭生，劉剛
10.專利名稱：基於SOI的射頻LDMOS器件及對其進行注入的方法
發明人： 劉夢新，陳蕾，畢津順，劉剛，韓鄭生
