溝道摻雜技術是製造MOSFET時所採取的一種工藝技術，就是在柵極氧化膜形成之後，在溝道區域通過離子注入技術把少量的施主或受主雜質離子（濃度為1011~1012/cm2）注入進去，以用來調整器件閾值電壓的大小，這就稱為溝道摻雜；對於n-MOSFET，為了增大閾值電壓，需要摻入p型雜質，為了得到耗盡型MOSFET就需要摻入n型雜質。
基本介紹
- 中文名：溝道摻雜技術
- 類型：工藝技術
- 濃度：1011~1012/cm2
- 功能：調整器件閾值電壓的大小
Channel doping，溝道摻雜
溝道摻雜技術是製造MOSFET時所採取的一種工藝技術，就是在柵極氧化膜形成之後，在溝道區域通過離子注入技術把少量的施主或受主雜質離子（濃度為1011~1012/cm2）注入進去，以用來調整器件閾值電壓的大小，這就稱為溝道摻雜；對於n-MOSFET，為了增大閾值電壓，需要摻入p型雜質，為了得到耗盡型MOSFET就需要摻入n型雜質。