沈學礎

沈學礎，1938年2月28日生於江蘇溧陽，物理學家，中國科學院院士，中國科學院上海技術物理研究所研究員，復旦大學物理系教授，上海大學理學院名譽院長。

1958年沈學礎畢業於復旦大學物理系；1995年當選為中國科學院院士。

沈學礎主要從事固體光譜和固體光譜實驗方法等方面的科學研究和教學，並取得多項重要成果。

基本介紹

• 中文名：沈學礎
• 國籍：中國
• 出生地：江蘇溧陽
• 出生日期：1938年2月28日
• 職業：教學科研工作者
• 畢業院校：復旦大學物理系
• 主要成就：1995年當選為中國科學院院士

人物經歷

1938年2月28日，沈學礎出生於江蘇溧陽。

1958年，畢業於復旦大學物理系。

1995年，當選為中國科學院院士。曾任上海大學理學院院長，中國科學院紅外物理國家重點實驗室主任等職。

主要成就

科研成就

• 科研綜述

沈學礎從事凝聚態光譜及其實驗方法研究。發展了光學補償雙光束傅立葉變換紅外光譜方法，發現了一定條件下某些固體存在聲學局域模。發展了傅立葉變換光熱電離譜方法，使矽中淺雜質檢測靈敏度有數量級的提高。提出和首次實現了帶間躍遷、激子躍遷誘發並共振增強調製和迴旋共振光譜方法。發展了高壓下調製吸收光譜測量方法。對超晶格、量子阱及其他低維結構、半磁半導體和非晶半導體以及固體中雜質等作了大量光譜研究，尤注重其中量子態躍遷、量子態雜化耦合等微觀量子過程和量子互作用。

沈學礎 院士

沈學礎提出並首先實現光調製共振激發譜、高壓下調製吸收光譜、帶間躍遷增強與誘發迴旋共振，使一些弱固體光譜現象觀測研究成為可能。發現半導體晶體中新一類局域化振動模，發展了固體中雜質振動的理論；發現半磁半導體中d電子和p電子態間雜化，首先測定塞曼雜化態波函式的混和與重組，將固體中微觀雜化混和的實驗與理論研究推進到新高度；最先觀測到和測定了GaAs調製摻雜多層結構的量子化能級，實驗揭示了這種結構確可形成超晶格和量子阱；將矽光熱電離光譜靈敏度提高了1—2個數量級，成為超純材料淺雜質研究檢測的首選方法之一，發現矽中兩個新施主中心和多條與雜質高激發態相關的新譜線。

沈學礎關於InGaAs/GaAs中兩類超晶格電子態共存、nipi結構光生載流子的長壽命、磁場下雜質電子—光學聲子強耦合互作用等發現和研究結果，也有重要意義。因以上成果兩次獲國家自然科學獎，兩次獲中國科學院自然科學一等獎，以及其它多項成果獎勵，此外，沈學礎還在紅外物理國家重點實驗室建設中取得成果，兩次獲國家“金牛獎”。多次獲國家自然科學獎和中國科學院自然科學獎一等獎等。

• 學術論著

沈學礎撰有《半導體光學性質》、《半導體光譜和光學性質》等。發表論文200多篇，並被國外同行廣為引用，包括被編寫入國外20多種專著、手冊、教科書。著有《半導體光學性質》一書，並與其他著者合作，出版著作兩本，編輯會議文集三冊。

人才培養

沈學礎已培養博士研究生30餘名。

榮譽表彰

1988年獲“國家有突出貢獻中青年專家”稱號。

社會任職

上海市高溫超導重點實驗室學術委員會副主任