朱建軍(中科院蘇州納米所研究員)

朱建軍(中科院蘇州納米所研究員)

朱建軍,中科院蘇州納米所研究員,畢業於大連理工大學,主要研究生產型金屬有機化學氣相沉積系統。

基本介紹

  • 中文名:朱建軍
  • 國籍:中國
  • 民族:漢族
  • 職業:中科院蘇州納米所研究員
  • 畢業院校:大連理工大學
  • 研究方向:生產型金屬有機化學氣相沉積系統
人物簡介,科研經歷,研究方向,

人物簡介

1992年7月獲大連理工大學套用物理系學士學位;
1995年7月獲北京師範大學物理系凝聚態物理專業碩士學位;
1998年7月獲中科院半導體研究所半導體材料與物理專業博士學位;
1998年8月至2011年1月,中國科學院半導體研究所集成光電子國家重點實驗室工作。
2011年1月,加入中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米加工平台。

科研經歷

參與研製國內首台能同時生長3C-SiC和厚膜GaN材料的高溫CVD/HVPE複合澱積系統。在其基礎上完成了自然科學基金項目“藍色發光二極體用SiC 材料生長的基礎研究”。承擔中國科學院套用研究與發展重點項目“GaN/SiC/Si 異質外延材料的生長與研究”以及863 項目“高亮度藍光、綠光LED 的產品開發和規模化生產關鍵技術的研究”中“氮化物立方GaN 藍、綠光發光器件研製與產品開發”子課題,並順利完成。參與和承擔“氮化鎵雷射器”、“氮化鎵紫外探測器”“GaN/Si基材料生長與研究”等多項863 項目的研究,主要從事GaN/Si(111)材料、GaN/Al2O3、AlGaN/GaN 超晶格材料以及InGaN/GaN 量子阱的生長與分析。把質量管理中常用的試驗設計方法引入到GaN基材料與器件結構的外延生長,成功製備了GaN 基雷射器結構外延片;在此基礎上中科院半導體所實現了中國大陸第一隻GaN基脈衝激射和室溫連續工作雷射器的成功研製。承擔863項目“高效大功率半導體燈用近紫外LED生產技術研究”,順利完成。承擔自然科學基金項目“AlInN 材料的MOCVD 生長與套用研究”(批准號 60576003,2006,1-2008,12),順利完成,最終評定結果為優承擔中科院重大科研裝備研製項目“III族氮化物生長用原子層化學氣相澱積系統”,設計並研製成功了兼具原子層外延和MOCVD外延優點的外延生長系統,尤其適合於生長高Al組份的三族氮化物,順利通過中科院專家組的驗收。參與創建蘇州納維科技有限公司,主要負責HVPE設備的設計、研製以及HVPE生長工藝的開發。主持設計了水平和垂直兩種HVPE生長設備,成功用於GaN自支撐襯底的生長。

研究方向

未來五年擬開展的工作主要是生產型金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)系統及相關配套設備的研製與生產。該種設備主要針對III族氮化物基光電子、微電子器件結構材料的外延生長進行結構設計。同時,結合先進的在位監測手段,集成多種工藝和技術,致力於提高設備的生產能力,降低設備生產成本和使用成本,提高原材料的利用率,減少對環境的污染。該設備的工程化研究具體內容主要包括:(1)反應室的結構設計、模擬、仿真及虛擬製造技術;(2)高控制精度、低回響時間的MOCVD系統氣路設計和加工技術;(3)系統的自動化、智慧型化控制技術和人機作業系統、數據記錄與挖掘系統的設計與開發;(4)綠色尾氣處理系統和氣體循環利用系統的研製;(5)能提供閉環控制能力的在位監測系統的的設計與製造;(6)MOCVD外延生長工藝開發、材料生長的熱力學、動力學過程的理論與實驗研究、模擬與仿真,同時開展材料生長的計算機實驗技術研究。(7)MOCVD裝備的穩定性、重複性、可靠性測試分析技術與保障系統的研究;(8)功能拓展能力強的開放式MOCVD架構研究等。通過五年的研究,預期形成滿足LED以及功率電子器件等量產需求的MOCVD設備研製和生產能力。

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