曾世銘

曾世銘

曾世銘,男,漢族,1933年7月19日出生於江蘇徐州市,祖籍雲南美國國籍,中國半導體矽材料的技術專家。

1955年畢業於雲南大學昆明工學院有色冶金系,分配至北京有色金屬研究總院,教授級高級工程師。

基本介紹

  • 中文名:曾世銘
  • 國籍:美國
  • 民族:漢族
  • 性別:男
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研究貢獻

長期從事半導體級直拉矽單晶、區熔矽單晶和太陽電池級矽單晶的科研開發及生產工作,是我國半導體矽單晶製備技術的主要開拓者之一。先後研製出我國第一根半導體矽單晶、基座法矽單晶,成功研製出細矽芯拉制工藝,填補我國空白,為我國的多晶矽生產和發展作出重大貢獻。

工作經歷

1951-1955年 雲南大學和昆明工學院冶金系學習並畢業
1955-1980年 北京有色金屬研究總院任技術員和課題組長
1981-1987年 北京有色金屬研究總院高級工程師
1987-1996年 北京有色金屬研究總院教授級高級工程師
1991年 北京市政府專業顧問團顧問
1996-1998年 受聘於美國KAYEX公司,擔任其北京代表處的首席代表
2000-2003年 受聘於錦州新日矽公司任總工程師
2007-2010年 受聘於常州恆能光電公司任技術總監
2010-至 今 受聘於江西旭陽雷迪高科技股份有限公司任首席單晶研究員

成就及榮譽

成就

1.1956年,在中國科學院參與半導體鍺單晶的拉制技術研究工作;
2.1958年5月,在北京有色金屬研究總院拉制出冶金部系統的第一根鍺單晶
3.1958年11月,拉制出中國第一根半導體矽單晶;
4.1963年9月,開發成功細矽芯拉制工藝,填補我國空白,當時僅德國日本有此工藝,此項技術推廣
全國為我國的多晶矽生產發展作出重大貢獻;
5.1964年5月, 拉制出中國第一根基座法矽單晶;
6.1966年至1976年,由有研總院委派至洛陽單晶矽廠和總政2602工廠負責單晶生產的技術工作;
7.1978年,掌握了矽單晶控氧、降碳技術,提高了電路級矽單晶質量;
8.80年代,在國內率先研製成功大直徑重摻銻、重摻砷的矽單晶;
9.2008年,在國內率先解決太陽能級矽單晶電池衰減問題;
10.2011年,在旭陽雷迪指導單晶部拉制出業界Φ8〞P型最長矽單晶棒,並保持行業紀錄;

榮譽

1.共獲得國家級、部級科技進步獎十餘項,多次榮立有研總院個人二等功和三等功,發表論文幾十餘篇;
2.1981年首批晉升為有研總院高級工程師
3.1988年首批晉升為有研總院教授級高級工程師
4.1991年首批獲得國務院頒發的政府特殊津貼

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