新型瞬態電真空半導體光電子器件與技術

《新型瞬態電真空半導體光電子器件與技術》是2019年2月出版的圖書,作者是母一寧。

基本介紹

  • 書名:新型瞬態電真空半導體光電子器件與技術
  • 作者:母一寧等
  • ISBN:978-7-118-11811-7
  • 頁數:174
  • 定價:89.00
  • 出版時間:2019年2月
  • 裝幀:平裝
  • 開本:32
  • 版次: 1版1次
  • 字數: 149
  • 中圖分類: TN103
內容簡介,圖書目錄,

內容簡介

本書簡要闡述近年來新型瞬態電真空半導體光電子器件內涵、特點、研究意義與國內外發展現狀;對影響新型瞬態電真空半導體光電子器件總體設計方案的多種外界約束條件和性能指標進行分析;重點論述新型瞬態電真空半導體光電子器件總體情況與發展趨勢,並論述了寬禁帶紫外半導體激射原理,電真空光電倍增原理與複合探測機制,真空半導體電子倍增成像器件以及未來光電調製技術等。本書可供從事空間光電技術領域的科技人員使用,也適合光學工程、通信工程等學科的高年級本科生、研究生和高等學校教師參考和閱讀。

圖書目錄

第1章緒論1
1.1光電子器件的瞬態1
1.2半導體紫外光發射器研究現狀與進展1
1.3真空半導體器件瞬態優勢與艾里光束的非線性
瞬態調製技術8
第2章寬禁帶半導體電光器件瞬時激射12
2.1異質結器件電瞬時發光機理12
2.2異質結薄膜的MIS結紫外光發射器件22
2.2.1波長調控機理22
2.2.2器件製備流程與工藝23
2.2.3異質結薄膜MIS結製備26
2.2.4MIS結光發射器件的電泵浦隨機雷射28
2.3波長可調的紫外電致發光和隨機雷射33
2.3.1MIS結光發射器件的製備33
2.3.2波長可調的電致發光和隨機雷射34
2.3.3電致發光機制與討論36
2.4MIS結雷射二極體的瞬態技術40
2.4.1納米線陣列的水熱合成與物性40
2.4.2納米線性能提升42
2.4.3納米線的光學和電學輸運性質45
2.4.4納米線的電泵浦受激發射和機制48
2.5本章小結55
第3章電真空光電倍增與複合探測原理57
3.1電真空光電倍增器件複合探測的套用背景與原理57
3.1.1複合探測的套用背景57
3.1.2複合探測原理61
3.2微通道空間波導陽極複合探測器件63
3.2.1複合波導陽極結構與工作原理63
3.2.2複合波導陽極設計原理與特性67
3.3器件級電子光學系統設計、工藝與驗證70
3.3.1器件級工藝與實現70
3.3.2複合探測原理性驗證76
3.4微通道空間複合波導柵型複合探測器件78
3.5本章小結83
第4章EBAPS瞬時光電倍增器件84
4.1EBAPS的基本結構及原理84
4.2入射光電子在電子倍增層中的散射模型86
4.2.1入射光電子的運動軌跡基本模型86
4.2.2散射截面87
4.2.3非彈性散射的能量損失88
4.2.4坐標系變換89
4.2.5計算機模擬電子運動軌跡的物理模型90
4.3EBAPS中電子倍增層內電子散射特性的影響因素92
4.3.1入射光電子能量對電子散射特性的影響研究92
4.3.2死層厚度與能量損失率的關係94
4.3.3摻雜濃度對倍增層內電子散射特性的影響95
4.3.4入射光電子束直徑與電子散射特性的關係研究95
4.3.5倍增電子分布模擬研究96
4.4EBAPS電荷收集效率理論模擬與測試方法98
4.4.1基底均勻下EBAPS電荷收集效率理論模擬研究98
4.4.2基底梯度摻雜下EBAPS電荷收集效率理論
模擬研究102
4.4.3EBAPS電子倍增層增益的測試方法106
4.5本章小結109
第5章新型無衍射表面波及艾里光束瞬態非線性調製技術110
5.1光折變表面波與自加速艾里光束110
5.2LiNbO3晶體界面處表面波的調製原理118
5.2.1調製理論模型與數據分析118
5.2.2表面波激發實驗結果120
5.2.3表面波誘導波導理論123
5.3克爾介質中艾里孤子的產生與瞬時調製127
5.3.1艾里孤子的調製機理127
5.3.2艾里孤子的空間瞬時調製129
5.3.3艾里孤子的空間穩定性與瞬時調製132
5.3.4艾里光束的互動作用及其瞬時調製134
5.4飽和非線性介質中艾里高斯光束的傳輸與互動的調製139
5.4.1艾里高斯光束的傳輸與調製機理139
5.4.2雙艾里高斯光束互動作用的調製145
5.5本章小結150
參考文獻152
英文縮寫表163
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