擇優腐蝕指沿著特定的結晶學平面,呈現腐蝕速率加快的腐蝕方法。
| 中文名稱 | 擇優腐蝕 |
| 英文名稱 | preferential etching |
| 定 義 | 沿著特定的結晶學平面,呈現腐蝕速率加快的腐蝕方法。 |
| 套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),元素半導體材料(三級學科) |
基本介紹
- 中文名:擇優腐蝕
- 類型:材料科學技術術語
擇優腐蝕指沿著特定的結晶學平面,呈現腐蝕速率加快的腐蝕方法。
| 中文名稱 | 擇優腐蝕 |
| 英文名稱 | preferential etching |
| 定 義 | 沿著特定的結晶學平面,呈現腐蝕速率加快的腐蝕方法。 |
| 套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),元素半導體材料(三級學科) |
擇優腐蝕指沿著特定的結晶學平面,呈現腐蝕速率加快的腐蝕方法。套用學科:材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),元素半導體材料(三級學科)...
含有平直柱狀晶晶界的單晶材料具有高取向性,有利於其大塑性變形。擇優取向使單晶銅在晶胞尺度上的微觀平面排列緻密,同時晶界的減少抑制了腐蝕的擴展,從而提高了其耐蝕性。
塑性變形可以提高鎂合金的力學性能,為了更好地了解塑性變形後鎂合金的腐蝕行為和腐蝕特性,作者在多年來對鎂合金研究經驗和研究成果的基礎上,編寫並推出本書。本書得到了山西省人力資源和社會保障廳留學人員科技活動擇優資助項目和山西省...
流動圖形缺陷 流動圖形缺陷是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 矽片表面用腐蝕劑擇優腐蝕後顯示出的呈流線狀的腐蝕痕跡。
研究了金屬雜質與缺陷的相互作用,利用銅雜質綴飾空洞型缺陷,提出了擇優腐蝕直拉矽單晶中空洞型缺陷的新方法,具有直觀和簡便的優點。 項目還系統研究了重摻矽單晶的缺陷,發現了重摻磷直拉矽單晶中一種低溫氧沉澱異質形核的新機制...
用總指示讀數表征。矽片的熱氧化層錯檢測是指矽拋光片表面的機械損傷、雜質沾污和微缺陷等在矽片熱氧化過程中均會產生熱氧化層錯,經擇優腐蝕後,在金相顯微鏡下觀測熱氧化層錯的密度,以此鑑定矽片表面的質量。
在我研究的課題中採用擇優腐蝕法、X射線異常透射形貌、透射電鏡、掃描電鏡和能量色散譜等多種實驗手段研究SI-GaAs單晶的位錯與微缺陷。發現幾乎所有高位錯密度的SI-GaAs單晶的表層都具有網路狀胞狀結構或系屬結構,首次對該胞狀結構和系...
3.3超平衡原子氫擇優腐蝕的動力學模型47 3.4低壓金剛石的熱力學耦合模型49 3.5低壓金剛石的熱力學耦合反應機理50 3.6一個全新的熱力學領域——非耗散熱力學52 參考文獻54 第4章現代熱力學的非耗散熱力學57 4.1非耗散熱力學和...
GB/T 1554-2009 矽晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法 GB/T 1555-2009 半導體單晶晶向測定方法 GB/T 1557-2006 矽晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 GB/T 1558-2009 矽中代位碳原子含量紅外吸收測量方法 GB/T 4058-2009 矽拋光片...
5.3 超平衡原子氫擇優腐蝕的動力學模型 5.4 20世紀80年代的一些熱力學理論 5.4.1 準平衡模型 5.4.2 表面反應熱力學模型 5.4.3 缺陷誘導穩定化模型 5.5 熱力學耦合模型 5.6 低壓金剛石熱力學耦合的機理 5.7 20世紀90...
