掩模對準（mask alignment）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：掩模對準
- 外文名：mask alignment
- 所屬學科：電子學_電子元器件工藝與分析技術
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
公布時間
1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電子學名詞》。
掩模對準
相關詞條
- 掩模
掩模版（mask）簡稱掩模，是光刻工藝不可缺少的部件。掩模上承載有設計圖形，光線透過它，把設計圖形透射在光刻膠上。掩模的性能直接決定了光刻工藝的質量。在投影式光刻機中，掩模作為一個光學元件位於會聚透鏡（condenser lens）與投影...
- 掩模對準
掩模對準 掩模對準（mask alignment）是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》。
- 對準標記
光刻機的晶圓對準系統首先會調整晶圓的位置，使之與晶圓工件台初步對準；掩模對準系統也會調整掩模的位置，使之與掩模工件台初步對準。然後，光刻機的對準系統(alignment system)做掩模與晶圓的對準。粗對準只需要使用 2 個對準標記， ...
- 掩模對準曝光機測試方法
掩模對準曝光機測試方法 《掩模對準曝光機測試方法》是1992年1月1日實施的一項行業標準。備案信息 備案號：2355-1992
- 對準操作
● 投影式曝光時需要將掩模板、晶圓分別與掩模台、晶圓工作檯對準，然後將掩模台與晶圓工作檯準確對準。晶圓重複曝光時需要反覆的位置對準，對準精度達到納米級或亞納米級。●晶圓測試系統探針與晶圓要對準，對準精度達到微米級。●晶片倒裝...
- 對準精度
光刻機的對準系統（alignment）負責把掩模上存在的圖形與晶圓上已有的圖形進行對準，對準精度（Alignment Precision，AP）則為掩模上與晶圓上圖形對準時套刻的精度。圖1是主流光刻機ASML中對準系統示意圖，對準系統使用He-Ne雷射，雷射束經...
- 掩模放置誤差
掩模放置誤差是指掩模之間圖形的對準偏差。顯然，掩模放置誤差直接影響到晶圓上的套刻誤差。產生原因 縮小掩模放置誤差的工作主要集中在兩個方面：一是能精確測量掩模之間的放置誤差，或者叫套刻誤差；二是根據測量的放置誤差對曝光工藝做...
- 掩模製作技術
掩模檢測 光掩模版的質量是影響積體電路功能和晶片成品率的重要因素之一。為保證光掩模版的質量，必須進行嚴格的控制:①掩模缺陷密度的控制,包括各種隨機圖形缺陷和掩模清潔度的控制；②掩模版精度的控制，包括掩模對準定位精度、機械重複精度...
- 預對準
，這個缺口可以是圓弧形的也可以是直線形的。預對準標識是透光的，其周圍是不透光的。發光二極體在掩模的預對準標識上方照明，光線透過對準標識，被探測器接收。每個探測器分為對稱的四個區域，可以分別探測光信號，用來判斷其對應位置。
- 硬掩模
硬掩模主要運用於多重光刻工藝中，首先把多重光刻膠圖像轉移到硬掩模上，然後通過硬掩模將最終圖形刻蝕轉移到襯底上。硬掩模在工藝中運用：雙重光刻(LELE)工藝中的雙溝槽光刻技術、雙線條光刻技術；三重光刻(LELELE)技術；自對準的雙重...
- 相移掩模
、自對準移相掩模（Self-alignment PSM）、無鉻∕全透明移相掩模（Chrome-less PSM /All-transparent PSM）及複合移相方式（交替移相+全透明移相+衰減移相+二元鉻掩模）等同時還有強移相掩模和弱移相掩模之分，其中無鉻∕全透明移相掩模...
- 場像對準技術
場像對準技術是一種對準精度高、結構簡單、可操作性強的對準方法。又稱視頻圖像處理對準技術（field image alignment，FIA），該方法指在光刻套刻的過程中，掩模圖樣與矽片基板之間基本上只存在相對旋轉和平移，充分利用這一有利條件，結合...
- 對準機
通過掩模上分離線條的光線形成照射圓片表面的輻照圖形，它也成為掩模的實像。所討論的工具都是光學工具。它們套用可見光，紫外光（UV），深紫外光（DUV）或極深紫外光（EUV）作曝光光源。它們又稱為對準機（aligners）。
- 反射式掩模
反射式掩模是一種新型掩模技術，針對EUV等波長較短的光其容易被物質吸收的特點應運而生的。傳統的掩模版為透射式掩模版,可見光或紫外光光線透過掩模版對光刻膠進行曝光。然而,隨著半導體技術的不斷發展,半導體器件尺寸不斷減小。傳統...
- 相關掩模技術
相關掩模技術 相關掩模技術，是指利用遙感影像拷貝產生的許多彼此能精確重疊的正負片，通過不同組合及相互疊掩的方法，進行影像反差調整、邊緣增強等攝影處理的技術。
- 自動掩模
自動掩模 自動掩模（automask）是2018年公布的生物物理學名詞。定義 將單分子顆粒圖像進行濾波、二值化和二次濾波後的圖像進行計算生成的掩模。出處 《生物物理學名詞》第二版。
- 紫外曝光機
紫外曝光機，也稱光刻機、掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是印刷線路板（PCB）製作工藝中的重要設備。一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。其主要性能指標...
- 精密對位曝光系統
EVG620掩模對準曝光機襯底尺寸：2 - 6襯底、碎片（單片）掩模版尺寸：最大7對準精度：光刻對準：頂部對準0.5um 底部對準1um鍵合對準：玻璃/矽0.5um 矽/矽1.0um曝光精度：1um曝光模式：軟接觸、硬接觸、真空接觸、接近式曝光曝光...
- 放置誤差
ASML提出一種新的方法，可以用來減少掩模放置誤差對晶圓套刻誤差的影響。該方法使用一台離線的掩模放置誤差測量設備（an off-line mask registration tool）測量出掩模之間的對準偏差，然後使用模型對數據進行處理，並把修正結果傳送到光刻機...
- 投影式光刻機
掩模對準式不能適應這一需要，因而很快就被投影式曝光取代。投影曝光分為1:1投影式曝光與縮小投影曝光。1:1投影曝光通過光學成像的方法將掩模圖形投影到矽片表面，圖像質量完全取決於光學成像系統，與掩模到矽片之間的距離無關。這樣就克服...
- 投影透鏡
投影透鏡是指對準光線透過曝光系統的透鏡，用於對準的雷射束照在晶圓上，其反射束經過曝光系統的透鏡，匯聚在掩模上成像。圖1是主流光刻機（ASML）中對準系統的示意圖。對準系統使用He-Ne雷射（633nm），雷射束經鏡子反射後，照射在晶圓...
- 四象限光電探測器
使用四象限探測器來完成掩模的預對準是一種行之有效並且經濟適用的方法，對於實現掩模版的預對準完全可行，通過初步的實驗發現，該系統可以完成在10mm的對準精度，在改變環境為淨化間環境以及提高安裝精度後，該值可以滿足最終的要求。預對準...
- 微納米加工技術及其套用(2009年高等教育出版社出版的圖書)
2.2.1 掩模對準式曝光 2.2.2 投影式曝光 2.3 光學曝光的工藝過程 2.4 光刻膠的特性 2.4.1 光刻膠的一般特性 2.4.2 正型膠與負型膠的比較 2.4.3 化學放大膠 2.4.4 特殊光刻膠 2.5 光學掩模的設計與製作 2.6...
- 光學光刻和極紫外光刻
7.1.3先進的掩模對準光刻_182 7.2無掩模光刻_186 7.2.1干涉光刻_186 7.2.2雷射直寫光刻_189 7.3無衍射限制的光刻_194 7.3.1近場光刻_195 7.3.2利用光學非線性_198 7.4三維光刻_203 7.4.1灰度光刻_203 7.4.2...
- 二元光學
但是離散化的相位以及掩模的對準誤差， 仍影響二元光學元件的製作精度和衍射效率的提高。為此，90年代初開始研究直寫技術，省去掩模製作工序，直接利用雷射和電子束在基底材料上寫入所需的二維 或三維浮雕圖案。利用這種直寫技術，通過控制...
- 全息-濕法刻蝕200nm周期X射線矽透射光柵
3. 對全息光刻和納米壓印製作光柵掩模的對準方法進行了詳細研究，通過對方法和裝置的改進，將全息干涉條紋與矽晶向對準誤差從之前的0.1°，2014年提高到0.036°，2015年進一步降低到0.016°。 4. 建立了各向異性濕法刻蝕模型，改善了...
