推挽方式可完全獨立產生高低電平，推挽方式為低阻，這樣，才能保證口線上不分走電壓或分走極小的電壓（可忽略），保證輸出與電源相同的高電平，推挽適用於輸出而不適用於輸入，因為若對推挽（低阻）加高電平後，I=U/R，I會很大，將造成口的燒毀。適用於大功率輸出。
基本介紹
- 中文名：推挽方式
- 定義：獨立產生高低電平
- 方式：方式為低阻
- 功能：保證口線上不分走電壓
基本概述,推挽結構,推輓輸出與開漏輸出的區別,
基本概述
推挽方式可完全獨立產生高低電平，推挽方式為低阻，這樣，才能保證口線上不分走電壓或分走極小的電壓（可忽略），保證輸出與電源相同的高電平，推挽適用於輸出而不適用於輸入，因為若對推挽（低阻）加高電平後，I=U/R，I會很大，將造成口的燒毀。適用於大功率輸出。
推挽結構
一般是指兩個三極體分別受兩互補信號的控制,總是在一個三極體導通的時候另一個截止，要實現線與需要用OC(opencollector)門電路。如果輸出級的有兩個三極體，始終處於一個導通、一個截止的狀態，也就是兩個三級管推挽相連，這樣的電路結構稱為推拉式電路或圖騰柱（Totem-pole）輸出電路（可惜，圖無法貼上）。當輸出低電平時，也就是下級負載門輸入低電平時，輸出端的電流將是下級門灌入T4；當輸出高電平時，也就是下級負載門輸入高電平時，輸出端的電流將是下級門從本級電源經T3、D1拉出。這樣一來，輸出高低電平時，T3一路和T4一路將交替工作，從而減低了功耗，提高了每個管的承受能力。又由於不論走哪一路，管子導通電阻都很小，使RC常數很小，轉變速度很快。因此，推拉式輸出級既提高電路的負載能力，又提高開關速度。 推挽電路是兩個參數相同的三極體或MOSFET,以推挽方式存在於電路中,各負責正負半周的波形放大任務,電路工作時，兩隻對稱的功率開關管每次只有一個導通，所以導通損耗小效率高。輸出既可以向負載灌電流，也可以從負載抽取電流。
推輓輸出與開漏輸出的區別
開漏輸出：OC門的輸出就是開漏輸出；OD門的輸出也是開漏輸出。TTL電路有集電極開路OC門，MOS管也有和集電極對應的漏極開路的OD門，它的輸出就叫做開漏輸出。它可以吸收很大的電流，但是不能向外輸出電流。所以，為了能輸入和輸出電流，它使用的時候要跟電源和上拉電阻一齊用。
OC門開漏輸出和OD門開漏輸出都是為了同一個目的，都是為了實現邏輯器件的線與邏輯，當然選用不同的外接電阻也可以實現外圍驅動能力的增加。當你套用此電路的時候，要注意套用時要加上拉電阻接電源，這樣才能保證邏輯的正確，在電阻上要根據邏輯器件的扇入扇出係數來確定，但一般mos電路帶載同樣的mos電路能力比較強，所以電阻通常可以選擇2.2k，4.9k這樣一些常用的。
推輓輸出:可以輸出高,低電平,連線數字器件;開漏輸出:輸出端相當於三極體的集電極.要得到高電平狀態需要上拉電阻才行.適合於做電流型的驅動,其吸收電流的能力相對強(一般20ma以內).
開漏電路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏極。同理，開集電路中的“集”就是指三極體的集電極。開漏電路就是指以MOSFET的漏極為輸出的電路。一般的用法是會在漏極外部的電路添加上拉電阻。完整的開漏電路應該由開漏器件和開漏上拉電阻組成。
組成開漏形式的電路有以下幾個特點：
- 利用外部電路的驅動能力，減少IC內部的驅動。當IC內部MOSFET導通時，驅動電流是從外部的VCC流經Rpull-up，MOSFET到GND。IC內部僅需很下的柵極驅動電流。
- 可以將多個開漏輸出的Pin，連線到一條線上。形成 “與邏輯” 關係。如圖1，當PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一個變低後，開漏線上的邏輯就為0了。這也是I2C，SMBus等匯流排判斷匯流排占用狀態的原理。
- 可以利用改變上拉電源的電壓，改變傳輸電平。如圖2, IC的邏輯電平由電源Vcc1決定，而輸出高電平則由Vcc2決定。這樣我們就可以用低電平邏輯控制輸出高電平邏輯了。
- 開漏Pin不連線外部的上拉電阻，則只能輸出低電平(因此對於經典的51單片機的P0口而言，要想做輸入輸出功能必須加外部上拉電阻，否則無法輸出高電平邏輯)。
- 標準的開漏腳一般只有輸出的能力。添加其它的判斷電路，才能具備雙向輸入、輸出的能力。
