張進成，男，博士，1976年生，陝西省人。現任西安電子科技大學微電子學院教授，博士生導師，寬頻隙半導體技術國家級重點實驗室副主任，陝西省大功率半導體照明工程技術研究中心副主任，2009年國家技術發明二等獎獲得者（排名第二），IEEE會員，中國電子學會空間電子學分會第六屆委員。先後入選2010年陝西省“新世紀三五人才”計畫，被授予陝西省青年科技新星（2010年）、教育部新世紀優秀人才（2007年）、陝西省高等學校優秀青年教師（2005年）、校十佳青年教師（2005年）等榮譽稱號。
基本介紹
- 中文名：張進成
- 出生日期：1976年
- 畢業院校：西安電子科技大學
- 學位/學歷：學士、碩士和博士學位
- 主要成就：教育部新世紀優秀人才
工作經歷,研究領域,科研項目,人物榮譽,主要作品,
工作經歷
張進成分別於1998年、2001年和2004年在西安電子科技大學微電子學與固體電子學專業獲得學士、碩士和博士學位，師從著名微電子專家郝躍教授。2005年6月晉升為副教授，2009年6月破格晉升教授。分別於2005年12月和2010年12月被評為微電子學與固體電子學碩士生指導教師和博士生指導教師。2008年10月起擔任寬頻隙半導體技術國家級重點實驗室副主任。
研究領域
（1）寬禁帶半導體技術（設備、材料、微波器件、功率器件等）；
（2）低維半導體材料與器件（超晶格、納米、石墨烯等）；
（3）半導體光電材料與器件（LED、太陽電池等）。
科研項目
長期從事 III 氮化物半導體材料與器件研究。自 2000年以來，先後主持國家科技重大專項、國家自然科學基金項目（重大項目課題 1 項、重點項目1項）、國家安全重大基礎研究/國防 973計畫（課題1 項、子專題 2項）、國防科技預先研究項目、國防技術預研基金重點和一般項目、各類科技人才計畫項目等三十餘項。
人物榮譽
作為主要技術負責人先後研製出表面反應增強型MOCVD系統、高性能GaN異質結構外延材料、GaN微波毫米波功率器件、高亮度GaN藍光LED以及InGaN基化合物半導體太陽電池等大量研究成果，填補了多項國內空白，打破了已開發國家的技術壟斷。合作開發的MOCVD技術和高亮度藍光LED技術已實現技術轉讓和產業化，產值上億元。研製的高性能GaN異質結構外延材料在中科院微電子所等國內單位以及日本、新加坡等國的研究機構中獲得大量套用，被評價為材料性能達到國際先進水平。研究成果獲得國家技術發明二等獎 1 項（排名第二），省部級一、二等獎 5項。
2019年8月2日，入選2019年度國家傑出青年科學基金建議資助項目申請人名單。
主要作品
2000年以來，發表期刊論文 156 篇，被SCI 收錄 103 篇，EI 收錄 128 篇，SCI 他引近200次，國際會議論文 21 篇，在國內外學術會議做特邀報告3 次。獲得授權國家發明專利28件，合作出版專著和教材共2部。
代表性論文：
1、 Meng, Fanna, *Zhang, Jincheng, Zhou, Hao, Ma, Juncai, Xue, Junshuai, Dang, Lisha, Zhang, Linxia, Lu,Ming, Ai, Shan, Li, Xiaogang, Hao, Yue, Transport characteristics of AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructures with high electron mobility, Journal of Applied Physics, 112(2), 2012, EI,SCI
2、 *Zhang Jin-Cheng, Zheng Peng-Tian, Zhang Juan, Xu Zhi-Hao, Hao Yue, Degradation mechanism of two-dimensional electron gas density in high Al-content AlGaN/GaN heterostructures, Chinese Physics B, 18(7), pp 2998-3001, 2009, SCI
3、 Liu Z. Y., Xu S. R., *Zhang J. C., Xue J. S., Xue X. Y., Niu M. T., Hao Y., Effect of defects on strain state in nonpolar a-plane GaN, Journal of Crystal Growth, 343(1), 2012, EI,SCI
4、 Juncai Ma, *Jincheng Zhang, Junshuai Xue, Zhiyu Lin, Ziyang Liu, Xiaoyong Xue, Xiaohua Ma, Yue Hao, Characteristics of AlGaN/GaN/AlGaN double heterojunction HEMTs with an improved breakdown voltage, Journal of Semiconductors, 33(1), p 014002 (5 pp.), 2012, EI (被Semiconductor Today重點報導)
5、 Lin Zhi-Yu, *Zhang Jin-Cheng, Zhou Hao, Li Xiao-Gang, Meng Fan-Na, Zhang Lin-Xia, Ai Shan, Xu Sheng-Rui, Zhao Yi, Hao Yue, Influence of double AlN buffer layers on the qualities of GaN films prepared by metal-organic chemical vapour deposition, Chinese Physics B, 21(12), 2012/12, EI,SCI
教學與人才培養
多年來承擔了《模擬電子技術基礎》、《高頻電子線路》、《積體電路工藝基礎》等課程的主教教學工作。至2012年共培養學術型碩士研究生（已畢業）總計 17名，其中校優秀碩士論文獲獎者 7名，包括特等獎 2名，一等獎2 名，二等獎 3名。指導的優秀碩士論文獲獎比例為 41.2%（同期全校獲獎比例<6%），獲特等獎比例 11.8%（同期全校獲特等獎比例<0.5%）。
