張力矽晶技術

張力矽晶強調電晶體矽原子之間的距離，也就是形成晶片基礎的微細開關。稍微將這些原子間的距離拉開，可以降低原子力對電晶體間電子運動的干擾，進一步得到更高的效能並降低晶片的耗電量。

基本介紹

• 中文名：張力矽晶技術
• 外文名：Strained Silicon
• 發布時間：2001年6月8日
• 發布公司：IBM

概述

張力矽晶Strained Silicon技術並不是一項新的技術，這項技術的觀念早在30年前就有科學家提出，在2001年6月8日由IBM正式發布。我們知道，電晶體的基本作用

就是根據需要，在“開”的狀態下讓電流儘可能大地通過，而在“關”的狀態下則切斷電流。而實際上，目前電晶體的工作性能表現還無法完全達到這個理論上的水平，為儘量提高電晶體的工作效率，科學家們研究出了各種新技術，如有助於大幅提高電晶體電流切斷的SOI（絕緣體上覆矽）技術。和SOI相反，張力矽晶Strained Silicon技術則有助於電晶體在“開”的狀態下大幅提高電流速度。

原理

從原理上說就是在矽鍺底基上放置一層純矽(見圖2)，這種底基的原子間距離比待拉伸矽片原子間距離大；將待拉伸矽片放在該底基上，受底基原子作用，矽片中的原子也將向外運動，彼此前拉開距離(見圖3)，從而減少對電流的阻力。