弗蘭之-克爾德什效應(Franz-Keldysh effect)是加電場時，半導體的光吸收發生變化的效應。它以德國物理學家(Walter Franz)和俄國物理學家(Leonid Keldysh)命名。 弗蘭之-克爾德什效應在大塊和均勻的半導體中出現；它可用作電吸收調節器。
基本介紹
- 中文名：弗蘭之-克爾德什效應
- 外文名：Franz-keldysh effect
- 提出者：弗蘭之和克爾德什
- 套用學科：半導體，電子學等
- 適用領域範圍：光學，電子學
- 相關人物：卡爾·波爾
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弗蘭之-克爾德什效應
（Franz_Keldysh effect)是加電場時，半導體的光吸收變化的效應。以德國物理學家沃爾特·弗蘭之(Walter Franz)和俄國物理學家列昂里德·克爾德什(Leonik Keldysh) 命名。
卡爾·波爾
(Karl W. Boer)首先觀查到光吸收邊隨電場遷移，發現了高場範圍，並稱這為弗蘭之效應。數月後，克爾德什文章的英文譯文有效後，更名為弗蘭之-克爾德什效應。
弗蘭之-克爾德什效應的原來構想是波函式‘流入”帶gab的結果；加電場時，電子和空穴的波函式從平面波變為艾里(Airy)函式，艾里函式有一“尾”。它延伸到經典的禁帶gab。按費米的黃金法則(golden rule)，自由電子和空穴波函式更多重疊，光吸收越強。甚致電子和空穴在不同勢能時，艾里尾仍重疊，吸收譜包括能帶比帶gab低和振盪以上。這種解析忽略了激子效應。這種效應在帶gab附近可能占據主要光學性質。
弗蘭之-克爾德什效應在大塊和均勻半導體中出現；不像斯達克量子效應要求有一量子阱。二種效應都用作電吸收調節器。但弗蘭之-克爾德什效應一般要求百伏特，限制了它在普通電子學中的套用。
參考文獻
“Franz-Keldysh effect" Wikipedia
