帶隙能是指價帶與導帶之間的能量。
相關詞條
- 帶隙能
帶隙能是指價帶與導帶之間的能量。...... 1、價帶與導帶之間存在一個禁帶,禁帶的寬度稱為帶隙能.TiO2的帶隙能為3.0—3.2eV,相當于波長為387.5nm的光子能...
- 帶隙
帶隙是導帶的最低點和價帶的最高點的能量之差,也稱能隙。帶隙越大,電子由價帶被激發到導帶越難,本徵載流子濃度就越低,電導率也就越低...
- 能帶和能帶隙
能帶和能帶隙固體的能帶: 固體的導電性能由其能帶結構決定。對一價金屬,價帶是未滿帶,故能導電。對二價金屬,價帶是滿帶,但禁頻寬度為零,價帶與較高的空帶...
- 光學帶隙
光學帶隙(optical band gap) 非晶態半導體的本徵吸收邊附近的吸收曲線通常分為三個區域。...
- 直接帶隙半導體
直接帶隙半導體的例子:GaAs、InP半導體。相反,Si、Ge是間接帶隙半導體。...... 直接帶隙半導體的例子:GaAs、InP半導體。相反,Si、Ge是間接帶隙半導體。...
- 零帶隙
零帶隙是指禁頻寬度為零。帶隙是導帶的最低點和價帶的最高點的能量之差,帶隙越大,電子由價帶被激發到導帶越難,本徵載流子濃度就越低,電導率也就越低。...
- 間接帶隙半導體
間接帶隙半導體材料(如Si、Ge)導帶最小值(導帶底)和滿帶最大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量,還要改變動量。...
- 帶隙變窄效應
這是BJT的發射區因為重摻雜所帶來的一種不良現象。 (1)帶隙變窄效應的產生機理: 因為半導體重摻雜時將要產生能帶尾和雜質能帶;當摻雜濃度很高時,能帶尾和雜質能帶...
- 小行星帶隙
“小行星帶隙”是天文學專有名詞。 中文譯名 小行星帶隙 英文原名/注釋 gap of asteroids...
- 三瑞光觸媒
在光照射下,光觸媒能吸收相當於帶隙能量以下的光,使其表面發生激勵而產生電子(e-)和空穴(h+)。這些電子和空穴具有很強的還原和氧化能力,能與水或容存的反應,...
- 光子禁帶
光子禁帶(PhotonicBand-Gap,簡稱為PBG),又稱為光子能帶或光子帶隙,是光子晶體中的特有概念。光子晶體的特殊周期性結構,使得其對特定波長或波段的光子具有禁阻作用,...
- 多能谷半導體
從半導體量子阱的量子限制效應出發,研究了布里淵區中的多能谷效應。套用這一模型導出了超晶格中的諧波直接帶隙,從而解釋了鍺矽應變超晶格發光特性,由此設計出最佳化...
- 光子晶體
光子晶體是指具有光子帶隙(PhotonicBand-Gap,簡稱為PBG)特性的人造周期性電介質結構,有時也稱為PBG光子晶體結構。所謂的光子帶隙是指某一頻率範圍的波不能在此...
