尹延如

尹延如系山東大學晶體材料研究所副研究員，博士生導師，自2017年7月26日入職以來長期從事光學晶體材料研究。其研究方向聚焦非線性光學晶體生長、倍半氧化物單晶製備及光電性能表征，主導了K3B6O10Br（KBB）晶體生長與性能研究，並在Er:Lu2O3晶體製備中取得突破性進展。2024年參與黃長石結構電光晶體套用專利研發，為光電器件開發提供新材料選擇。截至2023年9月，擔任碩士生丁昊的指導教師，持續推動晶體材料領域創新研究。

基本介紹

• 性別：女 
• 入職時間：2017年7月26日  
• 學歷：博士研究生 
• 職務：博士生導師 
• 研究方向：材料與化工領域 
• 指導學生：在讀碩士生丁昊 

研究方向與成果

非線性光學晶體研究

2023年7月，作為核心成員參與K3B6O10Br晶體研究，採用頂部籽晶溶液生長法獲得高光學質量晶體，證實其具備優良雷射頻率變換性能，為紫外光電領域套用奠定基礎。2024年9月主導Er:Lu2O3晶體研究，實現2.85 µm連續雷射輸出，斜效率達23.1%，創當時同類晶體最高功率記錄。

晶體生長技術創新

系統研究Czochralski法和EFG法對β-Ga2O3晶體固液界面影響，相關成果發表於《CrystEngComm》。2017年通過導模法實現Er:Lu2O3單晶可控定向生長，推動中紅外雷射器研發。

科研項目與專利

2023年12月，通訊作者研究證實Dy:Lu2O3單晶光纖在298-673K範圍內具有優異螢光強度比溫度相關性，拓展高溫感測材料選擇摻雜Lu₂O₃%20和Y₂O₃%20單晶光纖下轉換螢光測溫性能.pdf">7。2024年7月參與研發的Ca2Al2-xGaxSiO7晶體專利，實現提拉法製備電光調製器件用晶體，目前處於實質審查階段。

學術任職與教育

2017年入職以來擔任山東大學晶體材料國家重點實驗室研究人員，兼具博士生導師和碩士生導師資格。教育背景為博士研究生畢業，師從晶體材料領域權威學者，長期致力於國家重點研發計畫項目研究。