基本介紹
- 中文名：導電膜
- 外文名：conducting film
- ITO薄膜厚度：0.188±10%
- 面電阻均勻性：MD≤±3%，TD≤±6%
- 面電阻：300～500 Ω/□
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簡介
導電膜是具有導電功能的薄膜。 導電薄膜的荷電載流子在輸運過程中受到表面和界面的散射，當薄膜的厚度可與電子的自由程相比擬時，在表面和界面的影響將變得顯著，這個現象稱為薄膜的尺寸效應。它等效於載流子的自由程減小，因此與同樣材料的塊體相比，薄膜的電導率較小。
缺點
ITO導電膜玻璃
產品描述
氧化銦錫(Indium-Tin Oxide)透明導電膜玻璃,多通過ITO導電膜玻璃生產線,在高度淨化的廠房環境中,利用平面磁控技術,在超薄玻璃上濺射氧化銦錫導電薄膜鍍層並經高溫退火處理得到的高技術產品。
製作方法
ITO導電膜是指採用磁控濺射的方法（ITO 薄膜的製備方法有蒸發、濺射、反應離子鍍、化學氣相沉積、熱解噴塗等, 但使用最多的是反應磁控濺射法），在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO)導電薄膜鍍層並經高溫退火處理得到的高技術產品。
套用領域
產品廣泛地用於液晶顯示器(LCD)、太陽能電池、微電子ITO導電膜玻璃、光電子和各種光學領域。
產品參數
線性度（MD）：≤1.5%
全光線透過率：≥86%
表面硬度（鉛筆硬度）：≥3H
熱穩定性：(R-R0)/R: ±20%
熱收縮率：MD≤1.0%，TD≤0.8%
加熱捲曲：≤10mm
低阻抗柔性ITO導電膜（PET-ITO）
適用於柔性電致變色器件、柔性薄膜太陽能電池、柔性EL發光器件的製備和生產。
薄膜厚度：0.175±10 mm
霧度：<2%
寬度：406/360±2 mm
粘附：100/100
捲曲：≤10 mm
透過率：≥ 80%
表面電阻：90±15 Ω/□
面電阻均勻性：<7%
熱收縮：MD≤1.3，TD≤1.0
熱穩定性：
高溫：80oC,120hr ≤1.3
低溫：-40oC,120hr ≤1.3
熱循環：-30oC—80oC ≤1.3
熱/濕度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3
參數關係
ITO導電膜的主要參數有：表面電阻、表面電阻的均勻性、透光率、熱穩定性、加熱收縮率、加熱捲曲等。其中光透過率主要與ITO膜所用的基底材料和ITO膜的表面電阻有關。在基底材料相同的情況下，ITO膜的表面電阻越小，ITO膜層的厚度越大，光透過率相應的會有一定程度的減小。
透明導電薄膜
透明導電薄膜是一種既能導電又在可見光範圍內具有高透明率的一種薄膜，主要有金屬膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、複合膜系等。金屬膜系導電性能好，但是透明率差。
發展現狀
最近幾年來國內外的研究者分別在低溫製備的設備、工藝、薄膜的表面改性、多層膜系的設計和製備工藝方面進行了深入的研究。例如，Wu Wen-Fa等利用R.F磁控濺射工藝在不加熱的聚碳酸酯（PC）襯底上製備了厚度為250mm，電阻率為6× ~2（Ω·cm），透過率為74%~90%；Park Sung Kyu等利用R.F磁控濺射工藝在低溫聚合物PES上製備了110nmITO，方塊電阻是20O/□，透過率80%，但是表面的粗糙度較大；法國的David等，利用In-Sn合金靶在100℃下沉積在聚合物上的ITO薄膜透過率為85%，電阻率為~0.003Ω·cm，表面粗糙度為15-50，美國的Daeil.KIM用直接金屬離子束沉積（DMIBD）方法在70℃的條件下製備的ITO薄膜最高透過率為85%，最低電阻率為4×Ω·cm，表面質量比較高；此外還有一些研究人員利用脈衝雷射沉積（PLD），電子束熱蒸發和金屬離子輔助濺射等方法在低溫甚至在室溫的條件下進行高質量塑基的薄膜製備。
國內的賈永新在150℃基板條件下製備出了透過率為80%左右ITO薄膜，但沒有見電阻和表面特性的報導；近年來李育峰等利用微波電漿輔助方法在120℃的基片上沉積的薄膜透過率大於85%，但方塊電阻大於100O/□，表面特性沒有報導；馬瑾等在塑膠襯底上在80℃-100℃的條件下製備出了透過率大於84%，電阻率~0.001量級的薄膜。
綜上所述，國內在低溫尤其常溫下製備ITO薄膜方面研究還不夠充分、不夠全面；並且研究製備方法也比較單一，與國外有比較大的差距。近年來國外尤其日本和韓國分別在低溫沉積技術、薄膜生長機理和薄膜表面改性方面進行了深入的研究，在保證不對薄膜襯底產生破壞的情況下，在低溫甚至室溫的條件下製備出了薄膜電阻率低於5×Ω·cm，透過率大於85%，表面的粗糙度小於2nm的ITO薄膜。
