孫亞賓

孫亞賓，男，畢業於吉林大學，華東師範大學 教授，博士生導師。

基本介紹

• 中文名：孫亞賓
• 職業：教師
• 專業方向：深納米工藝微電子器件、可靠性、器件物理模型及參數提取
• 職稱：副教授
• 任職院校：華東師範大學

個人經歷

2010年7月本科畢業於吉林大學電子科學與技術專業;

2015年7月獲得清華大學微電子學與固體電子學博士學位，榮獲“清華大學第20屆學術新秀”提名、“清華大學優秀博士論文”及“北京市優秀畢業生”;

2016年4月進入華東師範大學、晨暉學者;

2017年入選上海市揚帆人才計畫;

2016年4月~2018年12月華東師範大學 講師;

2019年1月~ 2022年12月 華東師範大學 教授;

2023年1月~至今 華東師範大學 教授

研究方向

深納米工藝微電子器件（包括HBT、FD/RF-SOI MOSFET、FinFET、GAAFET及NCFET等）、可靠性、器件物理模型及參數提取

學術成果

近年來一直專注於VLSI核心器件及模型的研究，取得了豐富的研究成果。迄今以第一作者/通訊作者在IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Transactions on Microwave theory and Techniques、IEEE Access、IEEE Transactions on Device and Materials Reliability等期刊上發表相關論文40餘篇。

代表性著作

Yabin Sun, Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT, ISBN: 978-981-10-4611-7, Springer Publishers.

代表性論文

My publication

主要科研項目

1. 國家自然科學基金青年基金(61704056)：具備波動性表征的10nm及以下FinFET精準射頻模型研究，

2018/01~2020/12，主持

2. 上海市科委楊帆計畫項目(17YF1404700)：基於三維全波電磁場分析的FinFET微波小信號模型及波動

性研究，2017/05~ 2020/05; 主持

3. 國家科技重大專項 (2016ZX02301003): 22nm FD-SOI MOSFET柵圍寄生效應及建模, 項目參與人