基本介紹
介紹,存儲單元,最小靜態存儲單元,相關套用,
介紹
存儲單位：在存儲器中有大量的存儲元，把它們按相同的位劃分為組，組內所有的存儲元同時進行讀出或寫入操作，這樣的一組存儲元稱為一個存儲單元。一個存儲單元通常可以存放一個位元組；存儲單元是CPU訪問存儲器的基本單位。
存儲單元
存儲單元存儲單元
在計算機中最小的信息單位是bit，也就是一個二進制位，8個bit組成一個Byte，也就是位元組。一個存儲單元可以存儲一個位元組，也就是8個二進制位。計算機的存儲器容量是以位元組為最小單位來計算的，對於一個有128個存儲單元的存儲器，可以說它的容量為128位元組。如果有一個1KB的存儲器則它有1024個存儲單元，它的編號為從0－1023。存儲器被劃分成了若干個存儲單元，每個存儲單元都是從0開始順序編號，如一個存儲器有128個存儲單元，則它的編號就是從0-127。
地址上存儲單元的過程
地址上存儲單元的過程存儲地址一般用十六進制數表示，而每一個存儲器地址中又存放著一組二進制（或十六進制）表示的數，通常稱為該地址的內容。值得注意的是，存儲單元的地址和地址中的內容兩者是不一樣的。前者是存儲單元的編號，表示存儲器總的一個位置，而後者表示這個位置里存放的數據。正如一個是房間號碼，一個是房間裡住的人一樣。
存放一個機器字的存儲單元，通常稱為字存儲單元，相應的單元地址叫字地址。而存放一個位元組的單元，稱為位元組存儲單元，相應的地址稱為位元組地址。如果計算機中可以編址的最小單元是字存儲單元，則該計算機稱為按字定址的計算機。如果計算機中可編址的最小單位是位元組，則該計算機稱為按位元組定址的計算機。如果機器字長等於存儲器單元的位數，一個機器字可以包含數個位元組，所以一個存儲單元也可以包含數個能夠單獨編址的位元組地址。例如一個16位二進制的字存儲單元可存放兩個位元組，可以按字地址定址，也可以按位元組地址定址。當用位元組地址定址時，16位的存儲單元占兩個位元組地址。
最小靜態存儲單元
2008年8月18日，美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）等機構共同宣布，世界上首個22納米節點有效靜態隨機存儲器（SRAM）研製成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環境下，製造出有效存儲單元。SRAM晶片是更複雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產業中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統的六電晶體設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。
世界上最小的靜態存儲單元
世界上最小的靜態存儲單元新的研究工作是在紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）完成的，IBM及其他夥伴的許多頂尖的半導體研究都在這裡進行。IBM科技研發部副總裁T.C.Chen博士稱，“我們正在可能性的終極邊緣進行研究，朝著先進的下一代半導體技術前進。新的研究成果對於不斷驅動微電子設備小型化的追求，可以說至關重要。”
22納米是晶片製造的下兩代，而下一代是32納米。在這方面，IBM及合作夥伴正在發展它們無與倫比的32納米高K金屬柵極工藝（high-Kmetalgatetechnology）。
從傳統上而言，SRAM晶片通過縮小基本構建單元，來製造得更加緊密。IBM聯盟的研究人員最佳化了SRAM單元的設計和電路圖，從而提升了穩定性，此外，為了製造新型SRAM單元，他們還開發出幾種新的製作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒式光刻（high-NAimmersionlithography）技術刻出了模式維度和密度，並且在先進的300毫米半導體研究環境中製作了相關部件。
與SRAM單元相關的關鍵技術包括：邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長度電晶體、超薄隔離結構（spacer）、共同摻雜、先進激活技術、極薄矽化物膜以及嵌入式銅觸點等。
據悉，在2008年12月15至17日美國舊金山將要舉行的IEEE國際電子設備（IEDM）年會上，還會有專門的報告來介紹最新成果的細節。
相關套用
在計算機中，由控制器解釋，運算器執行的指令集是一個精心定義的數目十分有限的簡單指令集合。一般可以分為四類：1）、數據移動 （如：將一個數值從存儲單元A拷貝到存儲單元B）2）、數邏運算（如：計算存儲單元A與存儲單元B之和，結果返回存儲單元C）3）、 條件驗證（如：如果存儲單元A內數值為100，則下一條指令地址為存儲單元F）4）、指令序列改易（如：下一條指令地址為存儲單元F）
