姜大川，男，大連理工大學材料科學與工程學院講師。
基本介紹
- 中文名：姜大川
- 國籍：中國
- 畢業院校：大連理工大學
- 學位/學歷：博士
工作經歷,教育經歷,研究領域,代表論文,工作成果,
工作經歷
2014.06－至今 大連理工大學 材料科學與工程學院 講師
2012.06－2014.06 大連理工大學 化學工程與技術博士後流動站 師資博士後
教育經歷
2006.09—2012.06 大連理工大學 材料科學與工程學院 博士
2002.09—2006.06 大連理工大學 材料科學與工程學院 學士
研究領域
電子束熔煉製備太陽能級多晶矽技術的研究
多晶矽定向提純技術的研究
碩博研究方向
太陽能級多晶矽冶金製造；
太陽能級多晶矽材料再生製造；
代表論文
1.Dachuan Jiang, Shiqiang Ren, Shuang Shi, Wei Dong, Jieshan Qiu, Yi Tan, Jiayan Li: Phosphorus removal from silicon by vacuum refining and directional solidification, Journal of Electronic Materials, 48 (2) (2014) 314-319.
2.Jiayan Li, Lei Zhang, Yi Tan, Dachuan Jiang, Dengke Wang, Yaqiong Li: Research of boron removal from polysilicon using CaO-Al2O3-SiO2-CaF2 slags, Vacuum, 103 (2014) 33-37.
3.H. M. Noor ul Huda Khan Asghar, Yi Tan, Shuang Shi, Dachuan Jiang, Shiqiang Qin, Jiao Liao, Shutao Wen, Wei Dong, Yao Liu: Removal of oxygen from silicon by electron beam melting, Applied Physics A, 115(3) (2014) 753-757.
4.Yi Tan, Shiqiang Ren, Shuang Shi, Shutao Wen, Dachuan Jiang, Wei Dong, Ming Ji, Shihai Sun: Removal of aluminum and calcium in multicrystalline silicon by vacuum induction melting and directional solidification, Vacuum, 99 (2014) 272-276.
5.Yi Tan, Shiqiang Qin, Shutao Wen, Jiayan Li, Shuang Shi, Dachuan Jiang, Dayu Pang: New method of boron removal from silicon by electron beam injection, Materials Science in Semiconductor Processing, 18 (2014) 42-45.
6.Dachuan Jiang, Shuang Shi, Yi Tan, Dayu Pang, Wei Dong: Research on distribution of aluminum in electron beam melted silicon ingot, Vacuum, 96 (2013) 27-31.
7.Yi Tan, Shuang Shi, Xiaoliang Guo, Dachuan Jiang, Wei Dong, Shiqiang Ren: Effect of cooling rate on solidification of electron beam melted silicon ingots, Vacuum, 89 (2013) 12-16.
8.Yi Tan, Shutao Wen, Shuang Shi, Dachuan Jiang, Wei Dong, Xiaoliang Guo: Numerical simulation for parameter optimization of silicon purification by electron beam melting, Vacuum, 95 (2013) 18-24.
9.Shuang Shi, Wei Dong, Xu Peng, Dachuan Jiang, Yi Tan: Evaporation and removal mechanism of phosphorus from the surface of silicon melt during electron beam melting, Applied Surface Science, 266(3) (2013) 344-349.
10.Shutao Wen, Yi Tan, Shuang Shi, Wei Dong, Dachuan Jiang, Jiao Liao, Zhi Zhu: Thermal contact resistance between the surfaces of silicon and copper crucible during electron beam melting, International Journal of Thermal Sciences, 74 (2013) 37-43.
11.Yi Tan, Xiaoliang Guo, Shuang Shi, Wei Dong, Dachuan Jiang: Study on the removal process of phosphorus from silicon by electron beam melting, Vacuum, 93 (2013) 65-70.
12.Dachuan Jiang, Yi Tan, Shuang Shi, Wei Dong, Zheng Gu, Ruixun Zou: Removal of phosphorus in molten silicon by electron beam candle melting, Materials Letters, 78 (2012) 4-7.
13.Dachuan Jiang, Yi Tan, Shuang Shi, Wei Dong, Zheng Gu, Xiaoliang Guo: Evaporated metal aluminium and calcium removal from directionally solidified silicon for solar cell by electron beam candle melting, Vacuum, 86(10) (2012) 1417-1422.
14.Dachuan Jiang, Yi Tan, Shuang Shi, Qiang Xu, Wei Dong, Zheng Gu, Ruixun Zou: Research on a new method of Electron Beam Candle Melting Used for the Removal of P from Molten Si, Materials Research Innovations, 15(6) (2011) 406-409.
15.Xu Peng, Wei Dong, Yi Tan, Dachuan Jiang: Removal of Aluminum from Metallurgical Grade Silicon by an Electron Beam Melting, Vacuum, 86(4) (2011) 471-475.
16.Qiang Wang, Wei Dong, Yi Tan, Dachuan Jiang, Cong Zhang, Xu Peng: Impurities evaporation from metallurgical-grade silicon in electron beam melting process, RARE METALS, 30(3) (2011) 274-277.
工作成果
項目：
1.國家自然科學基金青年基金“多晶矽定向凝固反向誘導泉涌效應的研究”課題負責人
2.中國博士後科學基金“多晶矽定向提純反向誘導泉涌技術的研究”課題負責人
3.國家科技支撐計畫項目“冶金法製備太陽能級多晶矽關鍵技術研究及工業示範”課題參與人
4.國家自然科學基金聯合項目“冶金法製備太陽能級多晶矽中的真空精煉研究”課題參與人
5.國家自然科學基金項目“電子束注入對多晶矽Si/SiO2界面處雜質硼遷移的影響研究”課題參與人
獎勵：
1.2013年12月 遼寧省科學技術發明獎二等獎 電子束製備太陽能級多晶矽材料的技術及套用
2.2012年11月 大連市科學技術發明獎一等獎 電子束製備太陽能級多晶矽材料的技術及套用
專利：
1.李鵬廷, 姜大川, 李佳艷, 任世強, 譚毅, 石爽. 一種底部補償硼元素的多晶矽鑄錠工藝, 申請號: CN201410123650.5
2.譚毅, 李鵬廷, 任世強, 石爽, 姜大川. 一種硼元素均勻分布的多晶矽鑄錠工藝, 申請號: CN201410123795.5
3.姜大川, 任世強, 石爽, 譚毅, 邱介山. 高純中空矽材料、多晶矽鑄錠矽真空固液分離方法及設備, 申請號: CN201310209897.4
4.姜大川, 任世強, 石爽, 李鵬廷, 譚毅. 一種多晶矽快速凝固方法, 申請號: CN201310533033.8
5.譚毅, 姜大川, 石爽, 任世強. 多晶矽鑄錠矽固液分離方法及設備, 申請號: CN201310210007.1
6.譚毅, 姜大川, 石爽, 溫書濤, 鄒瑞洵. 一種電子束熔煉用坩堝的輻射攔截裝置, 申請號: CN201310023866.X
7.譚毅, 任世強, 石爽, 姜大川, 李鵬廷. 一種多晶矽逆向凝固裝置及方法, 申請號: CN201310530845.7
8.李佳艷, 譚毅, 李亞瓊, 姜大川, 王登科, 張磊. 多晶矽介質熔煉時除硼的造渣劑及其使用方法, 申請號: CN201310337757.5
9.譚毅, 李佳艷, 王登科, 張磊, 姜大川, 李亞瓊. 一種多晶矽介質熔煉時除硼的造渣劑及其使用方法, 申請號: CN201310337756.0
10.譚毅, 石爽, 任世強, 姜大川. 多晶矽鑄錠矽真空固液分離方法及分離設備, 申請號: CN201310210006.7
11.譚毅, 李佳艷, 張磊, 李亞瓊, 王登科, 姜大川. 一種多晶矽介質熔煉用造渣劑及其使用方法, 申請號: CN201310337930.1
12.譚毅, 姜大川, 石爽, 廖嬌, 石小磊. 一種電子束熔煉製備鎢電極材料的方法, 申請號: CN201210576775.4
13.譚毅, 姜大川, 石爽, 郭校亮. 一種電子束誘導定向凝固除雜的方法, 申請號: CN201210289971.3
14.譚毅, 石爽, 游小剛, 姜大川, 石小磊. 一種稀土鎢電極材料的製備方法, 申請號: CN201210576414.X
15.譚毅, 劉應寬, 盛之林, 李佳艷, 石爽, 劉振遠, 董偉, 姜大川. 一種高純矽襯底下電子束熔煉提純多晶矽的方法及設備, 申請號: CN201110220767.1
16.譚毅, 姜大川, 董偉, 郭校亮, 顧正, 龐大宇, 石爽. 真空感應熔煉去除矽粉中磷及金屬雜質的方法及設備, 專利號: ZL201110033792.9
17.譚毅, 姜大川, 董偉, 顧正, 彭旭. 一種去除工業矽中硼的方法, 專利號: ZL201010242101.1
18.譚毅, 姜大川, 鄒瑞洵, 董偉. 採用電子束注入去除多晶矽中雜質硼的方法, 專利號: ZL201010242065.9
19.譚毅, 鄒瑞洵, 顧正, 董偉, 姜大川. 一種電子束梯度熔煉提純多晶矽的方法, 專利號: ZL201010247815.1
20.譚毅, 董偉, 姜大川, 李國斌. 局部蒸發去除多晶矽中硼的方法及裝置, 專利號: ZL200910220058.6
21.譚毅, 董偉, 李國斌, 姜大川. 連續熔煉去除多晶矽中磷和硼的方法及裝置, 專利號: ZL200910220059.0
22.譚毅, 姜大川, 李國斌, 許富民, 劉艷嬌, 胡祖麒. 一種化學冶金提純多晶矽的方法, 專利號: ZL200810011266.0
23.譚毅, 李國斌, 姜大川, 張聰. 一種去除多晶矽中雜質磷的方法及裝置, 專利號: ZL200810011949.6
24.譚毅, 李國斌, 姜大川, 許富民, 王強. 去除多晶矽中雜質磷和金屬雜質的方法及裝置, 專利號: ZL200810011631.8
