失配位錯（misfit dislocations）：若一對晶體其取向相同，但晶格常數稍有不同，被置於完全的接觸時，則在接近於界面處的原子會略微調整它們的位置，這樣就會使得界面區域中的原子或處於“好”的形位，或處於“壞”的形位。這些“壞”區域與晶體位錯相類似，故名失配位錯。
基本介紹
- 中文名：失配位錯
- 外文名：misfit dislocations
失配位錯（misfit dislocations）：若一對晶體其取向相同，但晶格常數稍有不同，被置於完全的接觸時，則在接近於界面處的原子會略微調整它們的位置，這樣就會使得界面區域中的原子或處於“好”的形位，或處於“壞”的形位。這些“壞”區域與晶體位錯相類似，故名失配位錯。
闡述位錯等各種不同缺陷的形成機制，明確缺陷在界面處、外延層中分布規律，驗證界面晶格常數的弛豫與應力的可預測性和可控性；通過原位研究缺陷在外場作用下對材料光電性能的影響，建立界面及失配位錯與材料性能之間的關係；對In與GaAs潤濕...
§17．6 失配位錯的生成機制 一般性參考文獻 第十八章 位錯源與形變孿生 §18．1 Frank-Read源 §18．2 雙交滑移機制 §18．3 滑移位錯環的成核 §18．4 Bardeen-Herring源 §18．5 關於位錯源的幾個補充問題 §18．6 形變...
該交變應力場主要包括兩部分: 在共格界面處由於剪下模量差而導致的鏡像力, 以及多層膜內由於晶格常數差而形成失配位錯網的應力。簡介 可動位錯有時在某些地點由於某種原因會發生局部的收縮，合併為原來的非擴展狀態，這種過程稱為可動位錯...
提高材料性能,研究成果給出了抑制貫穿位錯的基本納米結構參數,以及納米位結構產生失配位錯的臨界條件。本課題的預期成果，對改進和實現下一代半導體異變結構雷射器，以及深層次理解和掌握位錯的控制機理，都具有十分重要的意義。
晶格失配，是指由於襯底和外延層的晶格常數不同而產生的失配現象。術語介紹 當在某種單晶襯底上生長另一種物質的單晶層時,由於這兩種物質的晶格常數不同,會在生長界面附近產生應力,進而產生晶體缺陷——失配位錯.通常把這種由於襯底和外延...
在器件製造過程中，經高溫處理後出現的或增殖的大量缺陷成為二次缺陷(或工藝導生缺陷)。分類 失配位錯 高濃度的摻雜引起點陣應力足以使晶體發生晶面滑移而產生位錯，稱之為失配位錯。滑移位錯 高溫處理過程中，若襯底(矽片)中出現的切應力...
低角度晶界，晶界處位錯密度稀疏，失配位錯密度低，晶界能低，晶粒間滑動趨勢降低，Cu 柱屈服主要表現為晶界處的位錯形核與擴展；高角度扭轉晶界，晶界處形成面缺陷，失配位錯密度高，晶界能高，晶粒間滑動趨勢增強，Cu 柱的屈服表現為...
研究結果表明，半共格界面處的失配位錯對於捕獲和湮滅重離子輻照引入的缺陷具有重要作用。界面湮滅輻照產生缺陷的能力，同時受界面失配位錯的性質和密度影響。 第四，在完成項目計畫內容的同時，對比研究了輻照前後金屬納米多層膜的電學性能來...
為了不產生失配位錯，就發展出了所謂應變外延技術來製備異質結，即利用晶格存在畸變的薄應變層來過渡、通過彈性調節來避免晶格突變（中斷）的一種晶體生長技術。晶格失配異質結的外延生長可以有兩種情況 （a）生長層比較厚、界面處存在失配...
1）C的加入改善了SiGe/Si異質結的界面性能.因為Ge與Si的晶格失配率為4.2%, 以致Si基上的SiGe外延層有很大的應變能，甚至會在界面出現失配位錯；而C原子比Si和Ge小得多（Ge的晶格常數比Si大4.2%，比C大52%），故加入C後，可...