國家存儲器基地

國家存儲器基地

國家存儲器基地位於武漢光谷。存儲器晶片市場是全球壟斷最為嚴重的晶片細分市場,DRAM和NANDFLASH晶片市場長期被韓國美日壟斷,尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首,共占據了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國於2013年發布了自主研發的55納米相變存儲晶片,成為繼美國韓國後,全球第三個掌握相變存儲技術的國家。

基本介紹

  • 中文名:國家存儲器基地 
  • 項目地:武漢東湖高新區正式開工 
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項目開工

2017年1月1日,總投資240億美元的“國家存儲器基地”項目在武漢東湖高新區正式開工。

建設方

“國家存儲器基地”項目由紫光集團聯合國家積體電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以晶片製造環節為突破口,集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售於一體,建成後,還將帶動設計、封裝、製造、套用等晶片產業相關環節的發展。

項目內容

“國家存儲器基地”項目位於武漢東湖高新區武漢未來科技城,將建設3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建築,其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計畫2018年建成投產,2020年完成整個項目,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。

意義

晶片國產化是中國在信息安全自主可控政策的實踐領域之一,作為信息技術的基礎產業,半導體積體電路持續受到了國家政策的扶持。而存儲器是積體電路產業的基礎產品之一,產品的成熟度和產業的規模效應均較為顯著,國家存儲器基地的建立,標誌著晶片國產化之路邁出可靠而重要的一步。

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