《單晶生長》是1979年科學出版社出版的圖書，作者是R.A.勞迪斯。
單晶生長是指原料在高溫高壓下溶解在溶劑中,由於溫差對流,溶液在籽晶部位達到過飽和而使籽晶生長。溶液的循環促使原料不斷地溶解,晶體不斷地生長。此法最主要的用途是生長水晶,一般說,很多氧化物單晶均可採用此法。原料介紹人工晶體...
單晶體從液相中生長出來，按其成分和晶體特徵，可以分為三種：1．晶體和熔體成分相同。純元素和化合物屬於這一種，由於是單元系，在生長過程中晶體和熔體的成分均保持恆定，熔點不變。如矽、鍺、三氧化二鋁等容易得到高質量的單晶體，生長速率也允許較快。2．晶體和熔體成分不同。為了改善半導體器件單晶材料的電學...
熔體生長法 這類方法是最常用的，主要有直拉法（又稱丘克拉斯基法）、坩堝下降法、區熔法、焰熔法（又稱維爾納葉法）等。直拉法 此法是由熔體生長單晶的一項最主要的方法，適用於大尺寸完美晶體的批量生產。被加熱的坩堝中盛著熔融的料，籽晶桿帶著籽晶由上而下插入熔體，由於固液界面附近的熔體維持一定的過冷...
《單晶生長》是1979年科學出版社出版的圖 書，作者是R.A.勞迪斯。圖書簡介 本書比較系統地論述了關於晶體、晶體的缺陷和完整性、晶體生長熱力學及晶體生長動力學等的基本理論，詳細討論了生長晶體的各種方法和許多典型材料的晶體生長，內容比較豐富，可供從事晶體生長工作的工人、科技工作者及高等學校有關專業的師生...
鍺、矽單晶的生長成功，促進了半導體技術和電子工業的發展。20世紀60年代，由於研製出紅寶石和釔鋁石榴石單晶，為雷射技術打下了牢固的基礎。過程 晶體是在物相轉變的情況下形成的。物相有三種，即氣相、液相和固相。只有晶體才是真正的固體。由氣相、液相轉變成固相時形成晶體，固相之間也可以直接產生轉變。晶體生成的...
無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。原理 在單晶的生長過程中，位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸，另一方面來自晶體內的熱應力。採用方法 在引晶過程中，由於熱衝擊較大，不可避免地在籽晶上產生大量的位錯。為此，採取縮頸的辦法。即採取高拉速將晶體直徑縮小到3mm左右，當其長度大於直徑的7-10倍時...
從液態轉變為固態的過程首先要成核，然後生長，這個過程叫晶粒的成核長大。晶粒內分子、原子都是有規則地排列的，所以一個晶粒就是單晶。多個晶粒，每個晶粒的大小和形狀不同，而且取向也是凌亂的，沒有明顯的外形，也不表現各向異性，是多晶。英文晶粒用Grain表示，注意與Particle是有區別的。有了晶粒，那么晶粒大小...
直拉法晶體生長，由丘克拉斯基在1916年首創，利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。電子學和光學等現代技術所用的單晶，如矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、紅寶石、白寶石、釔鋁石榴石、尖晶石,以及某些鹼金屬和鹼土金屬的鹵化物等單晶都可以用直拉法生長 (...
《大直徑、高質量單晶生長條件及最佳化的流體動力學研究》是依託重慶大學，由曾忠擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 Czochralski技術是一種生長半導體、氟化物、氧化物等單晶的主要方法。在其生長晶體的過程中，控制熔融母液的對流和熱輸運是最為關鍵的工藝和藝術。為了生長大直徑、高質量的單晶，一個新的對流...
《大尺寸單晶生長過程中的若干基礎問題》是依託山東大學，由孫洵擔任項目負責人的專項基金項目。中文摘要 分別採用升華法、提拉法、水溶液法生長大尺寸SiC, Nd:YAG, KDP單晶材料。針對大尺寸單晶生長中的關鍵科學問題，設計和構建適合於大尺寸單晶生長的溫度場；研究大面積籽晶條件下，單晶成核的控制機理；研究大尺寸...
《新型電光晶體PZN-PT單晶的生長與套用研究》是依託南京航空航天大學，由赫崇君擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 弛豫鐵電單晶(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (略寫為PZN-PT)不僅具有非常大的電光係數，而且其居里溫度也比較高，是一綜合性能優異的新型光學材料。本項目採用高溫溶液法生長出各種組分...
《室溫核輻射探測器用TlBr單晶生長機理及器件技術研究》是依託華中科技大學，由龔樹萍擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 溴化鉈（TlBr）具有原子序數高、密度大、禁頻寬的特點，是目前國際上研究十分活躍的一種高能射線探測用新型半導體材料。與目前採用的Ge、Si、CdZnTe等半導體探測材料相比，TlBr由於其材料優異特性...
研究反應室壓強、電漿密度、氣體流量比（氫氣：甲烷：氮氣）、基底溫度等製備參數對金剛石單晶生長速率和品質的影響，探索最佳工藝條件，研究生長規律，以期獲得生長速率大於100μm/h，尺寸為10mm×10mm的高品質金剛石單晶。通過分析氮在單晶內的分布，探討摻氮對提高生長速率影響的物理機制。在CVD金剛石單晶研究...
《泡生法藍寶石單晶生長工藝與技術》是2015年科學出版社出版的圖書，作者是劉成成、紀超、康平、柴喜紅、張新峰。內容簡介 本書系統總結了泡生法生長藍寶石單晶的原理方法與關鍵技術。在介紹泡生法的基礎知識、熱場設計原則和典型生長工藝的基礎上，系統總結了作者多年從事泡生法藍寶石單晶生長的相關研究成果和工作...
江南電力光伏科技有限公司，公司引進消化吸收國外先進技術研發環保清潔可再生新能源產品——太陽能光伏發電站和風力發電站的相關設備。其中矽單晶生長爐設備有兩大系列三個品種，具有自主智慧財產權。生產的單晶矽生長爐（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主智慧財產權，是採用直拉法生長P型或N型單晶矽...
《Ni3Al基合金單晶生長規律研究》是依託北京航空航天大學，由李樹索擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 目前已獲得套用的Ni3Al基合金多為等軸晶或定向柱晶，若能製備出Ni3Al基單晶合金，將可進一步提高合金的力學性能和承溫能力，套用前景十分廣闊。本申請項目擬通過研究Ni3Al基合金單晶製備過程中的晶粒形核、競爭...
《高品質金紅石單晶體的生長及微觀缺陷控制研究》是依託東北大學，由孫旭東擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 金紅石單晶體在現代電子信息技術領域的套用越來越廣泛，然而，高品質金紅石晶體的生長技術仍然是國際上的難題, 相關基礎研究理論匱乏, 特別是我國金紅石晶體完全依靠進口。本項目基於常用的焰熔法，對金紅石...
《一種提高碳化矽單晶生長籽晶托緻密性的方法》是山西爍科晶體有限公司於2021年1月13日申請的專利，該專利公布號為CN112962145A，專利公布日為2021年6月15日，發明人是毛開禮、魏汝省、趙麗霞、戴鑫、李天、喬亮、范雲、李斌、靳霄曦。 專利摘要 本發明提出一種提高碳化矽單晶生長籽晶托緻密性的方法，屬於碳化矽...
自動控制單晶生長系統 自動控制單晶生長系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年2月1日啟用。技術指標 重量感應精度為0.01g，真空度為10pa以內。通過線圈進行電磁感應加熱。主要功能 生長晶體。
《鐵酸鉍單晶生長及其多鐵性能研究》是依託中國科學院理化技術研究所，由陸俊擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 鐵酸鉍(BiFeO3，簡稱BFO)在常溫即顯優異鐵電、磁電和光電性能，在信息、能源、航天等高新技術領域作為關鍵功能材料有良好套用前景。BFO單晶相對薄膜不受基體束縛和尺寸效應等的干擾，因而有助於...
《碲鋅鎘單晶體的生長與套用基礎研究》是依託四川大學，由朱世富擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 碲鋅鎘晶體是一種新型的性能優異的室溫半導體探測器材料。用它可製成各種室溫探測器和攜帶型譜儀，用途極廣泛。但其熔體和晶體導熱性很差，Cd與Te、Zn的蒸氣壓相差很大，難於生長高質量單晶體，妨礙了它的實際...
光學浮區單晶生長爐是一種用於材料科學領域的儀器，於2008年9月3日啟用。技術指標 最高溫度 2000攝氏度，一般不超過0攝氏度；最大晶體生長長度100mm；生長速度：0.1－300mm/小時；生長室極限真空5*10-5torr, 或充入不同氣氛（氧氣，氬氣，等）。主要功能 單晶的浮區法生長技術採用的是垂直的區熔法生長單晶。
《釹摻雜氧化鑥單晶生長及其人眼安全波段雷射特性研究》是依託山東大學，由於浩海擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 1.5 微米附近雷射屬於人眼安全波段，是大氣傳輸視窗，在雷射測距、雷射雷達、雷射遙感、光通信等領域，有著廣泛的套用前景。目前其實現方式主要為Er玻璃或Nd:YAG直接輸出、OPO和受激拉曼散射等...
《低熔點合金助熔劑法二硼化鎂單晶生長的研究》是依託煙臺大學，由杜偉擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 於2001年發現MgB2具有超導性質以來，由於其具有潛在而廣泛的套用，隨即在國際上掀起研究該種材料的熱潮。但由於難獲得其高純單晶，導致表征該種材料超導性質和套用的一些關鍵的超導特徵參數還沒有統一確認...
螺旋生長 螺旋生長在高分子學科中，指單晶的一種生長過程。spiral growth 從溶液中培養的聚合物單晶體大多是互相重疊的多層晶。因為在高分子單晶的生長過程中，在晶體的中央處產生了一個螺旋位錯，使結晶不受限制地連續螺旋生長。
晶須是一種在一定條件下生長的細絲狀單晶。金屬晶須直徑小到1微米時,它的強度比普通大塊金屬晶體的強度高100倍以上。有自然生長的晶須,但可供研究的晶須多用人工方法培育。常用的有金屬蒸氣凝聚法和金屬鹵化物還原法。前一方法通過過飽和金屬蒸氣在較低溫度的凝聚頭上凝聚，開始時生長端向前（軸向）生長的速度遠大於...
把布里支曼技術套用於水平方式的單晶生長，稱為水平布里支曼法。 簡介 布里支曼法(crystals growth by Bridgman metthod) 是半導體晶體生長的主要方法之一。1925年美國的布里支曼(Bridgman)發明了這種生長單晶的方法，稱為布里支曼法。經完善後用來生長Ⅱ一Ⅵ族化合物晶體和砷化鎵單晶，已成為生產砷化鎵單晶的主要...
提拉法又稱丘克拉斯基法，是丘克拉斯基(J.Czochralski)在1917年發明的從熔體中提拉生長高質量單晶的方法。這種方法能夠生長無色藍寶石、紅寶石、釔鋁榴石、釓鎵榴石、變石和尖晶石等重要的寶石晶體。20世紀60年代，提拉法進一步發展為一種更為先進的定型晶體生長方法——熔體導模法。它是控制晶體形狀的提拉法，即...
(2)單晶生長發生在毛細管的頂端面上，遠離坩堝中的熔體表面。因而通常要維持固一液界面的恆定，麗採取的坩堝升溫機構已經不需要了。(3)生長界面附近及生長晶體中能夠很容易地用熱禁止和冷卻系統實現所預期的溫度分布，這是因為固一液界面的位置始終是維持不變的。因此，有可能實現很高的生長速率。(4)生長界面遠離...
