可擦除可程式唯讀存儲器

介紹

可擦除可程式唯讀存儲器（英語：Erasable Programmable Read Only Memory），由以色列工程師Dov Frohman發明，是一種斷電後仍能保留數據的計算機存儲晶片——即非易失性的（非易失性）。它是一組浮柵電晶體，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成後，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見矽片的透明視窗，很容易識別EPROM，這個視窗同時用來進行紫外線擦除。

一片編程後的EPROM，可以保持其數據大約10～20年，並能無限次讀取。擦除視窗必須保持覆蓋，以防偶然被陽光擦除。老式計算機的BIOS晶片，一般是EPROM，擦除視窗往往被印有BIOS發行商名稱、版本和著作權聲明的標籤所覆蓋。

一些在快閃記憶體出現前生產的微控制器，具有使用EPROM來存儲程式的版本，以利於程式開發；因為，如使用一次性可程式器件，在調試時將造成嚴重浪費。

原理

圖示出疊柵注入MOS管的結構。在浮置柵G_f沒有充電時，加到控制柵G_c上的正常邏輯高電平能使MOS管導通；在浮置柵上充有負電荷以後，在控制柵上加正常的邏輯高電平，MOS管不導通，相當於沒有接入這個存儲元件。編程時在漏極與源極間加以高電壓，使之產生雪崩擊穿，同時在控制柵上加高壓脈衝，則一些能量較大的電子便穿過S_iO₂層到達浮置柵，形成充電電荷。

需要擦除時可將EPROM表面的透明視窗置於一定強度的紫外線燈下照射，經15-20分鐘後浮置柵上的電荷即可泄漏掉。平時應將透明視窗密閉遮光，以保證浮置柵上的電荷長期保存。這種用紫外線擦除的EPROM也叫UVEPROM。

另外，有一種用電壓信號擦除的EPROM，也叫做EEPROM(或EPROM)。它的存儲單元中也利用了疊柵MOS管，擦除時需要在控制柵上施加反向的高壓脈衝。

由於EPROM中的數據可以修改，因而特別適於製作需要修改其中數據的唯讀存儲器。

OTP EPROM

因為玻璃視窗造價昂貴，於是引進了一次性可程式晶片（One-time programmable，OTP chip，或一種PROM），用於不需重複燒寫的量產產品中可降低ROM成本而被廣泛使用；唯一的不同在於，EPROM晶片被封在不透明的封裝中，因此這種晶片在寫入程式後無法擦除。這種一次性可程式技術，用於生產EPROM和基於EPROM的微控制器。然而，一次性可程式EPROM正逐漸被快閃記憶體（flash memory）晶片所取代，後者具有相近的矽片價格，並且在一個無視窗封裝中可重複編程。

PROM的型號與容量

除了 1702 之外，EPROM 是 27 系列型號，各種容量及型號參見附表，編號前可能加有廠商的英文字頭，同一型號可能有不同的速度與封裝方式，並附加於編號後。各廠牌同型號的 EPROM 讀取上兼容，但編程規範可能會略有不同。 (此外，使用 EPROM 的 MCS48/51 家族 MCU 則是 87 系列)

EPROM 型號	容量 —比特(bit)數	容量 —位元組(Byte)數	定址空間長度(十六進制)	最後地址(十六進制)
1702, 1702A	2 Kbit	256	100	000FF
2704	4 Kbit	512	200	001FF
2708	8 Kbit	1 KB	400	003FF
2716, 27C16	16 Kbit	2 KB	800	007FF
2732, 27C32	32 Kbit	4 KB	1000	00FFF
2764, 27C64	64 Kbit	8 KB	2000	01FFF
27128, 27C128	128 Kbit	16 KB	4000	03FFF
27256, 27C256	256 Kbit	32 KB	8000	07FFF
27512, 27C512	512 Kbit	64 KB	10000	0FFFF
27C010, 27C100	1 Mbit	128 KB	20000	1FFFF
27C020	2 Mbit	256 KB	40000	3FFFF
27C040	4 Mbit	512 KB	80000	7FFFF
27C080	8 Mbit	1 MB	100000	FFFFF
27C160	16 Mbit	2 MB	200000	1FFFFF
27C320	32 Mbit	4 MB	400000	3FFFFF

可擦除可程式唯讀存儲器

基本介紹

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原理

OTP EPROM

PROM的型號與容量

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