當在半導體材料,例如矽中人為地摻入價電子數更少的雜質原子,例如硼,來取代晶格中矽原子的位置,雜質原子缺少電子與矽形成共價鍵,需要從別處的矽原子奪取一個價電子,形成空穴和負電中心,這種摻入的雜質元素稱為受主雜質。
基本介紹
- 中文名:受主雜質
- 外文名:Acceptor impurity
- 套用學科:半導體物理
- 別稱:p型雜質
- 作用:形成空穴
- 常見雜質:B、Al、Ga、In
當在半導體材料,例如矽中人為地摻入價電子數更少的雜質原子,例如硼,來取代晶格中矽原子的位置,雜質原子缺少電子與矽形成共價鍵,需要從別處的矽原子奪取一個價電子,形成空穴和負電中心,這種摻入的雜質元素稱為受主雜質。
以矽晶體中摻入硼為例來說明受主雜質的作用,一個硼原子占據了矽原子的位置,硼原子有三個價電子,當它和周圍的四個矽原子形成共價鍵時,還缺少一個電子,必須從...
受主即為摻入半導體中的一類雜質,它能接受半導體中的價帶電子,產生同數量的空穴,從而改變半導體的導電性能。例如,摻入半導體鍺和矽中的三價元素硼、銦、鎵等原子...
半導體的常用摻雜技術主要有兩種,即高溫(熱)擴散和離子注入。摻入的雜質主要有兩類:第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質(如Si中的B、P、As);第二類是產生...
被受主雜質束縛的空穴的能量狀態叫受主能級[1] 一個能級不被電子占據時呈中性,被電子占據時帶負電,則被稱為受主能級。半導體摻施主或受主雜質時會在禁帶內...
半導體在低溫下由於載流子濃度指數式增大(施主或受主雜質不斷電離),而遷移率也是增大的(電離雜質散射作用減弱之故),所以這時電阻率隨著溫度的升高而下降。...
由於載流子濃度指數式增大(施主或受主雜質不斷電離),而遷移率也是增大的(電離雜質散射作用減弱之故),所以這時電阻率隨著溫度的升高而下降。...
還用生長過程中摻雜的方法製造出第一個Si的PN結,發現了Si中雜質元素的分凝現象,以及施主和受主雜質的補償作用。 [13] 1948年,威廉·肖克利的論文《半導體中的P...
上二式中ND為施主雜質濃度,cm-3;NA為受主雜質濃度,cm-3。如果對半導體施加外界作用(如用光的或電的方法),破壞了熱平衡條件,使半導體處於與熱平衡狀態相偏離的...
施主雜質或者對於受主雜質的自發補償作用)很嚴重,它們是所謂單極半導體,從外面摻入再多的雜質也難以改變其電阻率,更難以改變其型號,所以想要利用高摻雜來獲得歐姆...