反向漏電流是指：流過處於反向工作的pn結的微小電流稱為反向漏電流，理想pn結反向漏電流中還包括體內擴散流。電流與空間電荷區產生電流兩部分,矽pn結空間電荷區產生電流起支配作用。反向漏電流的大小與組成pn結的半導體材料禁頻寬度呈指數關係,反向漏電流中還包括表面漏電流，表面漏電流的大小與pn結製作工藝密切相關。
反向漏電流是指:流過處於反向工作的pn結的微小電流稱為反向漏電流,理想pn結反向漏電流中還包括體內擴散流。電流與空間電荷區產生電流兩部分,矽pn結空間電荷區產生...
漏電流分為四種,分別為:半導體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。...
無光照時,有很小的飽和反向漏電流,即暗電流,此時光敏二極體截止。當受到光照時,飽和反向漏電流大大增加,形成光電流,它隨入射光強度的變化而變化。當光線照射PN結...
3).用電設備需要根據漏電電流的大小設計漏電保護開關.4).在二極體中是指二極體加反向電壓的時候,二極體中流過的反向電流.5).漏電電流是剩餘電流的一種,剩餘電流...
在門極斷開路,並且晶閘管的結溫為額定值時,不允許重複加在晶閘管陽極的的反向電壓。也即使在額定結溫和規定測試條件下,元件反向最高測試電壓(反向漏電流急劇增加,...
因為 J-FET 是電壓控制器件,其輸入偏置電流參數是指輸入 PN 結的反向漏電流,數值應在 PA 數量級。同樣是電壓控制的還有 MOSFET 器件,可以提供更小的輸入漏電流...
為晶閘管在阻斷狀態下承受斷態重複峰值電壓VDRM和反向重複峰值電壓VRRM時流過元件的正反向峰值漏電流該參數在器件允許工作的最高結溫Tjm下測出。...
引起觸發時,兩個BJT處於截止狀態,集電極電流是C-B的反向漏電流構成,電流增益非常小,此時Latch up不會產生。當其中一個BJT的集電極電流受外部干擾突然增加到一定值...
它的正向特性與普通二極體相同;反向特性為典型的PN 結雪崩器件。在瞬態峰值脈衝電流作用下,流過TVS 的電流,由原來的反向漏電流ID上升到IR 時,其兩極呈現的電壓由...
最大正向平均整流電流:1.0A極限參數為VRM≥50V最高反向耐壓:1000V最大反向漏電流:5uA正向壓降:1.0V最大反向峰值電流:30uA典型熱阻:65℃/W...
若加相反的電壓,使位壘增加,可承受高的反向電壓,流過很小的反向電流(稱反向漏電流),稱為反向阻斷狀態。整流二極體具有明顯的單嚮導電性。整流二極體可用半導體鍺或...
第二象限的反向特性:反向電壓一直到達-40V時,反向電流也即反向漏電流近乎為零。說明二極體的正向電壓大於0.7V後,其等效電阻很小,這是二極體的正向特性;二極體的...
但是,由於SBD的反向勢壘較薄,並且在其表面極易發生擊穿,所以反向擊穿電壓比較低。由於SBD比PN結二極體更容易受熱擊穿,反向漏電流比PN結二極體大。...
穩壓二極體,英文名稱Zener diode,又叫齊納二極體。利用pn結反向擊穿狀態,其電流可在很大範圍內變化而電壓基本不變的現象,製成的起穩壓作用的二極體。此二極體是一種...
因為 J-FET 是電壓控制器件, 其輸入偏置電流參數是指輸入 PN 結的反向漏電流, 數值應在 pA 數量級. 同樣是電壓控制的還有 MOSFET 器件, 可以提供更小的輸入...
①反向斷態電壓(截止電壓)VRWM與反向漏電流IR:反向斷態電壓(截止電壓)VRWM表示TVS管不導通的最高電壓,在這個電壓下只有很小的反向漏電流IR。...
⑤壽命,反映光電二極體退化的主要參數是反向漏電流,室溫反向漏電流增加至原始值10倍時的工作時間為光電二極體的壽命。光電二極體套用 編輯 PN結型光電二極體與其他類型...
EBL(electron-blocking layer)即電子阻擋層,能夠控制LED中電子的流向(阻礙反向漏電流),提高發光效率。如圖所示介於MQW(多量子阱結構)和CBL(電流阻擋層)之間。...
