運放是集成在一個晶片上的電晶體放大器，偏置電流 bias current 就是第一級放大器輸入電晶體的基極直流電流。
這個電流保證放大器工作線上性範圍，為放大器提供直流工作點。因為運算放大器要求儘可能寬的共模輸入電壓範圍，而且都是直接耦合的，不可能在晶片上集成提供偏置電流的電流源。所以都設計成基極開路的，由外電路提供電流。因為第一級偏置電流的數值都很小， uA到 nA 數量級，所以一般運算電路的輸入電阻和反饋電阻就可以提供這個電流了。而運放的偏置電流值也限制了輸入電阻和反饋電阻數值不可以過大，使其在電阻上的壓降與運算電壓可比而影響了運算精度。或者不能提供足夠的偏置電流，使放大器不能穩定的工作線上性範圍。如果設計要求一定要用大數值的反饋電阻和輸入電阻，可以考慮用 J-FET 輸入的運放。因為 J-FET 是電壓控制器件，其輸入偏置電流參數是指輸入 PN 結的反向漏電流，數值應在 PA 數量級。同樣是電壓控制的還有 MOSFET 器件，可以提供更小的輸入漏電流。
另外一個有關的運放參數是輸入失調電流 offset current，是指兩個差分輸入端偏置電流的誤差，在設計電路中也應考慮。
基本介紹
電晶體構成的放大器要做到不失真地將信號電壓放大，就必須保證電晶體的發射結正偏、集電結反偏。即應該設定它的工作點。所謂工作點就是通過外部電路的設定使電晶體的基極、發射極和集電極處於所要求的電位（可根據計算獲得）。這些外部電路就稱為偏置電路（可理解為，設定PN結正、反偏的電路），偏置電路向電晶體提供的電流就稱為偏置電流。 以常用的共射放大電路說吧，主流是從發射極到集電極的IC，偏流就是從發射極到基極的IB。相對與主電路而言，為基極提供電流的電路就是所謂的偏置電路。偏置電路往往有若干元件，其中有一重要電阻，往往要調整阻值，以使集電極電流在設計規範內。這要調整的電阻 就是偏置電阻。穩定靜態工作點原理 設流過基極偏置電阻的電流IR>>IB，因此可以認為基極電位VB只取決於分壓電阻、，VB與三極體參數無關，不受溫度影響。 靜態工作點的穩定是由VB和Re共同作用實現，穩定過程如下： 設溫度升高→IC↑→IE↑→VE↑、VB不變→VBE↓→IB↓→IC↓ 其中：IC↑→IE↑是由電流方程 IE = IB+IC得出，IE↑→VBE↓是由電壓方程VBE= VB－IERe得出，IB↓→IC↓是由 IC =βIB得出。 由上述分析不難得出，Re越大穩定性越好。但事物總是具有兩面性，Re太大其功率損耗也大，同時VE也會增加很多，使VCE減小導致三極體工作範圍變窄。因此Re不宜取得太大。在小電流工作狀態下，Re值為幾百歐到幾千歐；大電流工作時，Re為幾歐到幾十歐。
