去耦

去耦

去耦,專指去除晶片電源管腳上的噪聲。該噪聲是晶片本身工作產生的。 在直流電源迴路中,負載的變化也會引起電源噪聲。去耦的基本方法是採用去耦電容。

基本介紹

  • 中文名:去耦
  • 外文名:decoupling
  • 讀音:qù’ǒu
  • 作用:防止發生不可預測的反饋
解釋,作用,配置原則,

解釋

多級放大時,防止信號通過公共電源電阻耦合到前級放大的一種方法。由於這種耦合而構成反饋,將在某一頻率上產生自激,在接有喇叭時會產生汽笛聲。一般用與機內電源相串聯或並聯的rc濾波網路來實現。

作用

防止發生不可預測的反饋,影響下一級放大器或其它電路正常工作。
例如
使用一個共發射極接法三極體,由於Vcc有內阻,當基極輸入交流信號,會在電源Vcc電流(基極集電極電流和)產生交流電流,從而影響偏置端基極。導致輸出端電壓不穩定。通常的解決辦法是使用電容對Vcc交流接地,去除此影響。這個解決辦法叫做去耦。
去耦:專指去除晶片電源管管腳上的噪聲,該噪聲是晶片本身工作產生的。
在直流電源迴路中,負載的變化會引起電源噪聲。例如在數字電路中,當電路從一個狀態轉換為另一種狀態時,就會在電源線上產生一個很大的尖峰電流,形成瞬變的噪聲電壓。配置去耦電容可以抑制因負載變化而產生的噪聲,是抑制電路板的可靠性設計的一種常規做法。

配置原則

●電源輸入端跨接一個電解電容器,如果印製電路板的位置允許,採用比較大的電解電容器的抗干擾效果會更好。
●為每個積體電路晶片配置一個0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印製電路板空間小而裝不下時,可每4~10個晶片配置一個1~10uF鉭電解電容器,這種器件的高頻阻抗特別小,在500kHz~20MHz範圍內阻抗小於1Ω,而且漏電流很小(0.5uA以下)。
●對於噪聲能力弱、關斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件,應在晶片的電源線(Vcc)和地線(GND)間直接接入去耦電容。
●去耦電容的引線不能過長,特別是高頻旁路電容不能帶引線。

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