卓以和

卓以和

卓以和,1937年生於北京,電機工程學家,美國朗訊科技公司(AT&T公司)貝爾實驗室半導體研究室主任、半導體研究所所長、教授。

1955年卓以和赴美留學;1960年從美國伊利諾斯大學畢業;1961年獲伊利諾伊大學碩士學位;1968年獲伊利諾伊大學博士學位;1985年獲選為美國科學院院士;1996年當選為中國科學院外籍院士。

卓以和主要從事分子束外延、人工微結構材料生長和在新型器件研究領域的研究。

基本介紹

  • 中文名:卓以和
  • 外文名:Alfred Y.Cho
  • 國籍:美國
  • 民族:漢族
  • 出生地:北京
  • 出生日期:1937年
  • 職業:教學科研工作者
  • 畢業院校:伊利諾伊大學
  • 主要成就:1993年美國國家科學獎章
    1985年當選為美國科學院院士
    1985年當選為美國工程院院士
    1989年當選為美國科學與藝術院院士
    1996年當選為中國科學院外籍院士
人物經歷,主要成就,科研成就,人才培養,榮譽表彰,社會任職,個人生活,人物評價,人物影響,

人物經歷

1937年,卓以和出生於北京。
1949年,來香港,曾就讀於培正中學。
1955年,赴美留學。
1960年,畢業於美國伊利諾斯大學。
1961年,獲伊利諾伊大學碩士學位。
1968年,獲伊利諾伊大學博士學位。
1985年,當選為美國科學院院士;同年,當選為美國工程院院士。
1989年,當選為美國科學與藝術院院士。
1996年,當選為中國科學院外籍院士。
2009年2月11日,美國專利商標局公布2009年度入選“全國發明家名人堂”的名單,卓以登上“美國發明家名人堂”。

主要成就

科研成就

卓以和對Ⅲ-V族化合物半導體、金屬和絕緣體的異質外延和人工結構的量子阱、超晶格及調製摻雜微結構材料系統地開展了大量先驅性的研究工作。用研製的新材料,最先研究成功10多種極為重要的、性能優異的新型微波高速電子器件和光電子器件。他又領導AT&TBell實驗室半導體研究所的合作者,開創性地研製成功量子阱級聯式新型雷射器,被認為是半導體雷射器發展中的又一個里程碑。

人才培養

  • 教學理念
卓以和認為要在學業上取得成功,“要有充足的自信心,並堅持向著你的目標努力才能使你的工作成功;要保持樂觀精神,多看一下每一件事的正面。另外,還要做你喜歡的事,這樣才能在做事的過程中找到樂趣。”
卓以和直言不諱地指出,中國評審制度要從四方面改善:不是只以發表學術期刊文章數量為標準;真正創新基礎研發不一定要在科學期刊上發表;不能期待要在短期內就能賺大錢,想要在三年內把所有錢回收;科學規劃和評審要多吸收無切身利害關係的科學家參加,防止利益交換。
他還談到令人擔憂的新生代研發文化:年輕一代的研究員只想要知道,“我”做了這個對我有什麼利益,能不能幫我升官發財,工作時間只是早9點到晚5點,有太多時間玩,對研發沒有一種願投一生努力與熱愛的態度。

榮譽表彰

時間榮譽/表彰授予機構
1985年
美國科學院院士
美國科學院
1985年
美國工程院院士
美國工程院
1989年
美國科學與藝術院院士
美國科學與藝術院院士
1993年
國家科學獎
美國聯邦政府
1996年
中國科學院外籍院士
中國科學院
2007年
美國國家科學獎章與國家技術獎章
美國聯邦政府
2009年
美國發明家名人堂
美國專利商標局
第三世界科學院院士
第三世界科學院
台灣中央研究院院士
台灣中央研究院
資料來源:

社會任職

2014年,卓以和被聘為國務院僑辦第四屆海外專家諮詢委員會委員。

個人生活

  • 家庭背景
卓以和的父親卓宜來畢業於哥倫比亞大學,曾在中國燕京大學教授政治學,並為著名銀行家。

人物評價

卓以和是國際公認的分子束外延、人工微結構材料生長和新型器件研究領域的奠基人與開拓者,對中國發展分子束外延技術極為關切,給予了關鍵性指導,與中國同行建立了深厚友誼,對促進中美兩國學術交流,提高中國在國際學術界的地位和影響作出了重要貢獻。(中國科學院評)
卓以和(右二)與其他專家考察中關村高新技術成果展卓以和(右二)與其他專家考察中關村高新技術成果展
在中國傳統文化禮教影響下,卓以和有著溫文敦厚的言行舉止及謙和無私的個性,因而受到同事們一致的尊崇愛戴。(中國網評)

人物影響

2004年,MBE群體捐贈出一筆資金成立“卓以和獎”,每隔一年的9月初,在MBE國際大會上頒發。

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