化學機械研磨

化學機械研磨，晶圓製造中，隨著製程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻(Lithography)技術對晶圓表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越來越高，IBM公司於1985年發展CMOS產品引入，並在1990年成功套用於64MB的DRAM生產中。1995年以後，CMP技術得到了快速發展，大量套用於半導體產業。化學機械研磨亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合的加工技術，是目前機械加工中唯一可以實現表面全局平坦化的技術。

基本介紹

• 中文名：化學機械研磨
• 外文名：chemical mechanical polish
• 分類：矽研磨、矽氧化物研磨
• 套用：晶圓製造
• 研磨耗材：研磨液、研磨墊
• 簡稱：CMP

研磨製程分類

研磨製程根據研磨對象不同主要分為：矽研磨(Poly CMP)、矽氧化物研磨(Silicon oxide CMP)、碳化矽研磨（Silicon carbide CMP）、鎢研磨(W CMP)和銅研磨(Cu CMP)。

研磨耗材

研磨耗材分為以下幾大類：研磨液(Slurry)、研磨墊(Pad)、金剛石盤(Disk)、研磨頭(Head)、清洗刷(Brush)和化學清洗劑與保護劑(Chemical)等。

特點

化學機械研磨技術綜合了化學研磨和機械研磨的優勢。單純的化學研磨，表面精度較高，損傷低，完整性好，不容易出現表面/亞表面損傷，但是研磨速率較慢，材料去除效率較低，不能修正表面型面精度，研磨一致性比較差；單純的機械研磨，研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高，但是容易出現表面層/亞表面層損傷，表面粗糙度值比較低。化學機械研磨吸收了兩者各自的優點，可以在保證材料去除效率的同時，獲得較完美的表面，得到的平整度比單純使用這兩種研磨要高出1-2個數量級，並且可以實現納米級到原子級的表面粗糙度。