劉致為

劉致為，男，國立台灣大學電機工程學系 教授

國立台灣大學電子工程學研究所 教授

國立台灣大學光電工程學研究所 教授

基本介紹

• 中文名：劉致為
• 國籍：中國
• 民族：漢
• 職稱：教授

個人簡歷

國立台灣大學電機工程學系 教授

劉致為

國立台灣大學電子工程學研究所 教授

國立台灣大學光電工程學研究所 教授

Professor, Department of Electrical Engineering, National Taiwan University

Professor, Graduate Insitite of Electronics Engineering, National Taiwan University

Professor, Graduate Insitite of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

主要研究領域

Device/process modeling, Ge FETs, IGZO TFT, solar cells, Ge/Si/Sn CVD

Major Research Areas: Device/process modeling, Ge FETs, IGZO TFT, solar cells, Ge/Si/Sn CVD

實驗室概述

本實驗室成立於一九九六年，位於台大電機二館R434、R452以及R514。由劉致為教授主持。創立至2014年，本實驗室已經逐漸成長擴充，共有博士班學生十名，以及碩士班學生二十三名，擁有充足的資源並且涵蓋了廣泛的研究領域。實驗室的主要從事有關Strained-Si、high-k/Metal Gate以及光電元件之研究，分為六個部分，將在下面做詳細的介紹。

應變矽CMOS以及矽鍺異質接面電晶體

在元件不斷縮小的情況下，傳統的CMOS製程已經沒辦法符合ITRS Roadmap的要求，而Strained-Si的技術已經成為工業界中最廣為套用的技術，因為載子遷移率的提升，元件的操作速度可以提高10~20%，使得奈米級元件的效能都有顯著的提升。而我們也正在研究利用Package/Mechanical Strain的技術使得電路的特性能達到最佳化的設計。

CMOS光電元件

影像偵測器(Photodetector)可用於連續的影像紀錄，普遍地被使用在夜視鏡、錄影機、以及數位照相機上面。一般的數位影像偵測都是使用電容藕合元件(Charge Coupled Device, CCD)，但是因為CCD的訊號必須逐一循序(Sequential)輸出，降低了影像紀錄的速度。而我們發明了第一個MIS Tunneling LED和Photodetector，是使用僅厚數奈米的極薄氧化層，使得電流可以穿透(Tunneling)閘極，而直接從閘極讀取光電流。使用上不但簡單、快速，而且製造成本更可以大幅地縮減(已獲得美國及台灣專利)。

Ge FET之研究

因為Ge的載子遷移率比Si來得高，所以很多Ge相關的文獻都已經發表，但是因為氧化鍺較不穩定，所以沒辦法做成元件來使用。我們採用了一種新型的結構做出了第一個Ge FET，不但有很低的缺陷密度，並且由於應變造成了電洞遷移率的大幅提升。相關的研究已發表在國際會議當中。

元件的模擬以及模型化(Modeling)

主要從事研究矽鍺異質接面電晶體(HBT)、應變矽和矽鍺異質接面光電晶體(HPT)的模型化與參數淬取，而在射頻以及數位電路設計方面，也在研發相關的模型。

快熱製程(Rapid Thermal Process)

除了已有的RTA、RTO、RTCVD之機台以及研究之外，我們也在研究新的快熱製程，並且已經研發出一種新型的wafer bonding技術，不但大幅度地節省成本，在uniformity方面也是非常好，相關的研究已經在相關國際會議之中發表。

CMOS/SiGe製程之電路設計

主要是RF電路的研究，包含了功率放大器(PowerAmplifier)以及轉阻放大器(Trans-impedance Amplifier)的設計，並使用Strained-Si之理論來驗證電路的效能確實有顯著的提升。也正從事Image Sensor相關之研究。