分凝係數（segregation coefficient）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：分凝係數
- 外文名：segregation coefficient
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
- 審定機構：全國科學技術名詞審定委員會
公布時間,出處,
分凝係數
相關詞條
- 有效分凝係數
有效分凝係數（ke）定義為凝固界面處固相溶質濃度（Cs）與遠離界面液相平均濃度（Cl(∞)）的比值，其數學表達式為$k_e = \frac{C_s}{C_l(\infty)}$。該係數受生長速率、溶質擴散係數及熔體對流強度影響：當生長速率趨近於零時，ke趨近於平衡分凝係數k0；當熔體無對流時，ke趨近於1。實驗研究表明，摻雜濃度...
- 雜質分凝係數
這種雜質分凝作用的大小常常用所謂分凝係數來描述：“分凝係數”= (雜質在固相中的溶解度)/(雜質在液相中的溶解度)。所謂區域提純就是利用這種分凝作用來提純金屬和半導體等材料的。分凝現象也可以用來製作所謂合金pn結。例如，在n型Si襯底片上面放置金屬雜質Al，然後加熱讓Al-Si共熔，由於Al在Si中的分凝係數＜...
- 分凝係數
分凝係數 分凝係數（segregation coefficient）是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
- 分凝現象
分凝現象是含有雜質的晶態物質在熔化後再結晶過程中，雜質在固相與液相呈現濃度差異的物理現象。其核心參數平衡分凝係數K₀定義為固相雜質濃度Cₛ與液相濃度Cₗ的比值，當K₀1時則富集於固相頭部。該現象受凝固速度、擴散速率及熔體對流等因素影響，BPS公式揭示有效分凝係數K_eff與界面移動速度呈負相關。在工業生產
- 雜質分凝
雜質分凝是材料科學與半導體製造領域的基礎現象，表現為固液相界面處因雜質溶解度差異形成的濃度梯度分布。該現象受生長速率、熱力學條件及雜質與基體結構相似性等因素影響，分凝係數定量表征雜質在兩相間的分配比例。在晶體生長過程中，雜質原子通過液相擴散層遷移形成富集區，BPS公式揭示了凝固速度與擴散速度的競爭關係對...
- 雜質在矽中的分凝係數表 - 百度文庫
雜質在矽中的分凝係數表 雜質在矽中的分凝係數表 B0.9Au3×10-5 Al≥0.004Sn0.02 Ga0.01Ta1×10-7 In5×10-4Fe5×10-4 P0.35S 1×10-5 As0.3Co1×10-4 Sb0.04Pt1×10-8 Bi8×10-4Cd1×10-8 Cu4×10-4Pd1×10-8 Ag1×10-8Mn1×10-5 Li1×10-2Zn1×10-5 O 1.25C...
- 雜質分凝作用
對於固相-液相的界面，由於雜質在不同相中的溶解度不一樣，所以雜質在界面兩邊材料中分布的濃度是不同的，這就是所謂雜質分凝作用。雜質分凝作用的大小常常用所謂分凝係數來描述：“分凝係數”= (雜質在固相中的溶解度)/(雜質在液相中的溶解度)。所謂區域提純就是利用這種分凝作用來提純金屬和半導體等材料的。...
- 第二章矽鍺的區熔提純 - 百度文庫
2-1分凝現象與分凝係數 •2－1－1分凝現象（偏析現象）含量少的雜質在晶體和熔體中的濃度不同 分凝係數:用來衡量雜質在固相和液相中濃度的不同 第四頁，本課件共有37頁 一平衡分凝係數K0 2－1－2平衡分凝係數和有效分凝係數 ➢平衡分凝係數（適用於假定固相和液相達到平衡時的情況）K0=Cs/Cl Cs:...
- 矽提純
分凝效應與蒸發效應 根據分凝係數公式C_s=k_eff×C_L，銅（k=4×10^-4）、鐵（k=8×10^-6）等雜質在定向凝固時富集於矽錠尾部。控制凝固速率為1mm/min時，尾部雜質濃度顯著提升，切除後電阻率分布均勻性提高。真空蒸發環節（壓力0.1Pa）使鋁、鈣雜質蒸發速率達到2g/(cm²·h)，配合石墨坩堝產生的CO...
- BGO(鍺酸鉍的縮寫)
如果起始原料中包含多於千萬分之幾的雜質，如Fe，Pb，Cr，Mn等，晶體性能就不能保證穩定。這些雜質元素在BGO晶體生長時在熔體和晶體內的分布量是不同的，即所謂雜質分凝係數K不同。精密確定雜質分凝係數K也是艱巨的。要準確無誤的取出熔體附近的晶體試樣和熔體試樣（取熔體的急冷態），並選擇具有與雜質濃度相適應...
- 鍺的區熔提純 - 百度文庫
在進行區熔提純時,若某種雜質在鍺中的分凝係數K>1,則通過區熔後,雜質就集中到鍺錠的首端(頭部),例如硼(B)就是如此;若分凝係數K<1,則雜質隨著熔區而移動,最終集中到鍺錠的尾端,例如鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)等雜質元素。K值與1的偏差越大,在同樣的條件下,提純效果就越顯著。K = 1的雜質...
