基本介紹
功能,學名,
功能
六角反相器是可以將輸入信號的相位反轉180度，這種電路套用在摸擬電路，比如說音頻放大，時鐘振盪器等。標準的倒相器中P管的寬長比要比N管的寬長比大。
碳化矽CMOS倒相器溫度特性：建立了6H-SiC材料和器件模型，套用二維器件仿真軟體MEDICI對所設計的亞微米6H-SiCCMOS倒相器的溫度特性進行了研究。
碳化矽CMOS倒相器溫度特性：建立了6H-SiC材料和器件模型，套用二維器件仿真軟體MEDICI對所設計的亞微米6H-SiCCMOS倒相器的溫度特性進行了研究。
研究結果表明，該倒相器在600K的高溫下仍可以正常工作，且具有良好的電壓轉移特性和瞬態特性；在300～600K的溫度範圍內，倒相器閾值電壓由1.218V變化到1.274V，變化幅度較小。
高性能功率放大器的輸出級通常都採用推挽電路，推挽放大器的末級輸出電子管，需要一個倒相器(phaseinverter)，以對其兩邊提供驅動信號，這是一種能使信號相位改變180°的一級電路，可用以使交流輸入信號產生兩個幅度相等相位相反的輸出信號的網路或器件，如次級帶中心抽頭的變壓器或分相電路，目前常用的倒相器電路主要有三種。
基於速度飽和的CMOS倒相器延遲模型
提出了一個新的小尺寸CMOS倒相器延遲模型，它考慮了速度飽和效應以及非階梯的輸入信號對延遲的影響並給出了倒相器快輸入回響與慢輸入回響的判據，模型計算結果與SPICEBSIM1模型的模擬結果吻合得很好。
高溫SOICMOS倒相器瞬態特性的研究
摘要：本文主要研究高溫SOICMOS倒相器在（27～300℃）寬溫區的瞬態特性。研究結果表明：當採用N+PN+和P+PP+結構薄膜SOIMOSFET組合，並且其結構參數滿足高溫套用的要求，則SOICMOS倒相器實驗樣品在（27～300℃）具有良好的高溫瞬態特性。SOIMOSFET依據其結構參數、工藝參數和外加偏置電壓的不同可具有不同的工作模式，一般常用的有厚膜部分耗盡型、薄膜全耗盡增強型和薄膜全耗盡積累型。
基於速度飽和的CMOS倒相器延遲模型
提出了一個新的小尺寸CMOS倒相器延遲模型，它考慮了速度飽和效應以及非階梯的輸入信號對延遲的影響並給出了倒相器快輸入回響與慢輸入回響的判據，模型計算結果與SPICEBSIM1模型的模擬結果吻合得很好。
高溫SOICMOS倒相器瞬態特性的研究
摘要：本文主要研究高溫SOICMOS倒相器在（27～300℃）寬溫區的瞬態特性。研究結果表明：當採用N+PN+和P+PP+結構薄膜SOIMOSFET組合，並且其結構參數滿足高溫套用的要求，則SOICMOS倒相器實驗樣品在（27～300℃）具有良好的高溫瞬態特性。SOIMOSFET依據其結構參數、工藝參數和外加偏置電壓的不同可具有不同的工作模式，一般常用的有厚膜部分耗盡型、薄膜全耗盡增強型和薄膜全耗盡積累型。
與體矽MOSFET相比，薄膜全耗盡SOIMOSFET的高溫泄漏電流明顯減小、閾值電壓隨溫度的變化率降低、消除了熱激發閂鎖效應，對高溫套用尤為有利[1～3]。因而高溫SOICMOS倒相器宜採用薄膜全耗盡MOSFET組合，有增強型-增強型、增強型-積累型、積累型-積累型三種組合方式。本文主要研究增強型-積累型MOSFET組合的高溫SOICMOS倒相器在（27～300℃）的瞬態特性。高溫SOICMOS倒相器實驗樣品的基本結構如圖1所示，與一般體矽CMOS倒相器基本結構相比，其主要特點如下：（1）採用P+PP+結構積累型MOSFET代替P+NP+結構增強型MOSFET，避免了一次改型注入，可降低P管閾值電壓，易使兩管閾值電壓匹配。
（2）由於無大面積的阱-襯底PN結，使泄漏電流顯著減小；由於消除了PNPN可控矽結構，從而杜絕了熱激發可控矽效應。對於高溫SOICMOS倒相器在（27～300℃）寬溫區瞬態特性的研究，主要是研究上升和下降時間在（27～300℃）寬溫區隨溫度的變化。研究結果表明：當採用上述N+PN+和P+PP+結構薄膜SOIMOSFET組合，並且其結構參數滿足高溫套用的要求，實驗樣品在（27～300℃）寬溫區內具有良好的高溫瞬態特性。對於測試結果還有兩個問題需要補充說明如下：（1）上升時間比下降時間偏長，主要是由於P管的導通電阻偏大及N管在截止態的泄漏電流偏大所致。（2）測試頻率較低，主要是由於高溫測試系統分布參數的影響。通過進一步改進樣品的設計和測試系統可以得到改善。
